[BETA] Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Celeron píše:To nebylo na Tebe, ale na Custa. Mezi tím jsi stihnul odpovědět.

Já to myslel vážně, mě se už stalo, že procesor nejel správně a stačilo vzít druhý kus...

Jestli to není rozbité?

Tohle přece nemůže šumět?

Já tam snad pro sichr nachystám pájecí plošky na kondík. :lol: Zpětnovazební kondík vychází, že by měl být menší než kapacita mezi praporkem Input a + vstupem OZ. Pokud nechám tedy zisk OZ na dvojce... Edit: Nebude ta kapacita mezi input a + vstupem OZ jako v sérii kondíků Cdg Q1 (cca 2.9 pF) a kond...

Mám jednu otázku: Jak spočítám kapacitu mezi drain Q2 a gate Q1? Na tom bude závislá stabilita celého obvodu... Odhaduju tak na 2 pF???

No, myslím, že si můžu dovolit jako Q2 použít taky 2SK2394. Strmost bude 5x vyšší.

Správně má být 0.3 pF!!!! OPRAVENO ve schématu!!!! Ta feedback kapacita je tam teď jako parazitní kapacita R1, ale předpokládám, že tam něco zapojeného bude. Myslím, že když jsem podobnou aplikaci řešil před desíti lety, měl jsem tam 1 nF leptaný na tišťáku a chodilo to. (Mám pocit že s OZ MAX4475 a...

Jojo, spíš přemýšlím, že když mi šum diody zamaskuje šum preampu (bude vyšší), tak bude výhodné raději stáhnout kapacitu vstupu, kterou vidí zpětná vazba OZ. To bude mít za následek nižší šumový gain obvodu. Ale toto úplně nedokážu odhadnout. Další problém bude u té SiC detekční diody, ta bude mít a...

Tak jsem hledal ještě vhodné JFET a zjistil jsem zajímavé věci:
- LSK170 v SMD se dá opět koupit
- SMP4416/MMBF4416 vidím jako vhodného kandidáta na bootstrap - má výrazně nižší kapacitu

Takové zadání nemám, musím se dostat co nejníže. Čím uvidím níž, tím to bude mít rozumnější využití. Jde o to vidět rentgeny ze slupek K popřípadě L jednotlivých atomů. Čím nížeji to bude, tím více prvků dokážu naměřit. EDIT: pokud bude mít rentgen 500 eV, tak mi vygeneruje odhadem v SiC okolo 100 p...

danhard mimo jiné píše:Je to tak schválně nadvakrát, protože si tak v integraci asi o 40dB odfiltruju vf šum zesilovače, integrátoru na konci pásma.

To jsem úplně nepochopil, jak to myslíš?

EDIT: jo už asi rozumím co jsi tím myslel...

Cesta je asi: rychlý OZ, malá vstupní kapacit (součet všeho na vstupu) a malá zpětnovazební kapacita (parazitní kapacita 47 MΩ odporu by tuším byla akorát). Aby se muselo co nejmíň zesilovat druhým stupněm, kde zesiluju šumy v MHz. V prvním stupni přenáším šumy jen do úhlové frekvence 1/(Rfeedback *...

jo, potřebuju měřit jedno kvantum stavím kvantový detektor :lol: Ta rychlost je tam proto, že máš ve zpětné vazbě 33 pF kondík a rychlý OZ. Zde už by mohlo být vidět, kdy putujou elektrony a kdy díry. Já tam budu mít nejspíš jen 3.3 pF a pomalejší OZ. To mimo jiné znamená, že budu mít i 10x větší zi...

To bude asi OK. Odpor ve zpětné vazbě nebude větší než desíky MΩ. Potřebuju integrátor za pár desítek, max stovek, µs vybít. Náběžná hrana bude kolem 1 µs, pokud teda použiju malý zpětnovazební kondík (kolem těch 2-5 pF). Zajímá mě jen ta výška pulzu.

V SO8 je to jedno jestli je jednoduchý nebo dvojitý (teda pokud pin 1 je NC). Já jsem povětšinou používal 5ti pinový SOT-23 a tam se dá s výhodou použít pin 4, má kolem sebe místa jako na koňské louce...

EDIT: elektrony nebudou přebývat, těch není nikdy dost (je to DC, ne?)