Diki. Ako ani ja som nechcel tak tvrdsie odpovedat ale no. A ano plne musim suhlasit ze ta literatura a vsetko je velmi dolezite. Ja v podstate tie deje co tam prebiehaju aj chapem -az na to co sa robi v IO
- ale prakticky to velmi neviem aplikovat. A zeby som zacinal od konca ? Ved je to tak isto zapajanie suciastok ako kazde ine. Akurat doteraz som zapajal najviac 10 suciastok a DPS som s Bozou pomocou navrhol a aj to funguje. Ale ked sa mi ukaze tolko suciastok jak tu, ta som trocha mimo. A prave preto sa pytam ze jak a co. No niekedy to prehanam to je fakt
. A ten TC tak to vyraba znamy ale pomocou VN a mna sa pytal ci by som nevedel navrhnut primar na nizke napetia. On akoze VN a silnoprudu rozumie fakt dobre a vsetko, ale tiez ako ja, take tie suciastky a IO mu vela nehovoria.
Ale OK k teme: (Trocha to zhrniem)
1. Tak mne sa najviac -- vzhladom k jednoduchosti -- pozdava schema od jasina
http://elektroworld.info/modules/Forums ... 06_101.gif
AKurat ze niektore suciastky nevidno najlepsie -mozno preto ze nemam naj. monitor -.
2. Schema od Tandela by bola samozrejme lepsia ale na to nemam.
3. Co si myslite o tom, ze som navrhol TC ktore bude mat samozrejme ako vsetky, sekundar a primar ladeni na rezonancnej frekvencii, a kedze je na NN tak nema iskrisko ktore by spinalo rezonancny obvod ale chcel som pouzit prave oscilator na rozkmitanie primarneho LC-obvodu. Povodne som ho chcel rozkmitat frekvenciou rovnou 1/10 rezonancnej frekvencie. Kedze by to ale nebolo take dobre ako kmitat rovno na rez. f tak som sa rozhodol pre oscilator ktory potenciometrom --resp dvoma na jemne doladenie-- naladim na r.f a tym padom aj cely TC. Na primari vzniknu samozrejme kmity s dost vysokou amplitudou a pretoze je potreba nastavit kapacitu na primary, rozmyslal som aky tam dam kapacitny trimer vzhladom na vysoke napatove spicky. Zatial som nic nevymyslel. Asi neostava nez to co najpresnejsie vypocitat a potom uz len pridavat male kapacity.
4. Ak uz bude osc. nahodou hotovy, bude sa musiet pripojit na nejaky IGBT alebo MOSFET koly vysokym I a amplitudam napatia ktore vzniknu na primarnom LC-obvode. A prave tu je hacik. Ak pouzijem jeden IGBT, ktory budem spinat sinusovym signalom, zaujima ma ci aj na tom igbt bude sinus teda vlastne za nim. Ved sinusova funkcia je dana tym ze pravydelne prechadza z kladych cisel do zapornych tzn. musi sa menit prud. A nepozdava sa mi ci sa mi pri jednom IGBT prud skutocne menit bude. Asi bude treba pouzit 2.
Takze sorry za gramatiku a za trocha dlhsi prispevok. Ak som to napisal nezrozumitelne tak som asi fakt menej chytry
