Je to dané konstrukcí toho přechodu a velikostí oblasti prostorového náboje.
Schottky - tenký přechod kov-polovodič
Rychlé diody - tenký prechod silně dotovaných polovodičů
Pomale usměrňovací diody - tlustý objemný prechod z nízko dotovaného polovodiče a metalurgicky dotovaných "vývodů".
Čím je ten přechod tenčí tím větší kapacita, čím je ten přechod delší a objemnější, tím větší vázaný náboj z propustného proudu, který je potřeba v závěrném směru vyklidit.
Rychlost otevření v propustném směru - vždy tam bude nějaká parazitní indukčnost pouzdra i toho polovodiče, v nějakém tom odkazu dříve to měřili 1N40x s dlouhýma vývodama, to už při nějaké ns hraně ruší, co se týče vlastního jevu v řádu 10ns, tak tam bude hrát kromě geometrie také dotace polovodiče a s tím spojená rychlost rekombinace nosičů.
Pan "inženýr" by nám to mohl určitě fundovaně vysvětlit
![Smile :)](./images/smilies/icon_smile.gif)