Pravděpodobně se zdvojnásobí Ugs, zatímco náboj na G a Id se nezmění. To by vypadalo na to, že tranzistor je spíš řízen nábojem než napětím. Zase na druhou stranu, mechanická manipulace s hradlem není zrovna typická operace při provozu tranzistoru.Andrea píše:Takový malý příklad na zamyšlení:
Máme MOSFET s kapacitou hradla vůči kanálu 1nF, (izolované) hradlo je nabité na 5V a tranzistor je částečně otevřený. Co se stane, když za těchto podmínek posuneme hradlo do dvojnásobné vzdálenosti od kanálu?
Přemýšlím o tom. Je to opravdu docela problém. Zkusím popsat názor, který mám zrovna teď, ale možná ho ještě budu muset přehodnotit, protože je to fakt dilema. Možná budu mluvit trochu z cesty, omluvou mi budiž, že spíš programuju a moje představy o MOSFETech jsou velice zjednodušené a neúplné.Andrea píše:A co jsi zjistil, čím je tedy dle tebe řízený MOSFET?
Takže zatím jsem došel k tomu, že obecně to asi říct nejde, protože záleží mimo jiné na režimu, ve kterém tranzistor provozujeme. Zkusím některé vypsat:
1) Uds>Ugs, Ugs je malé, takže se ještě nezačal tvořit kanál. Na tom Tvém obrázku mosfet1.gif je Qg od 0 do asi 3nC. Id skoro neteče, tranzistor se chová asi jako dva kondenzátory mezi G a S a mezi G a D. Asi se nedá říct, že by byl nějak řízen. Taky těžko říct, jestli je napětí způsobeno nábojem, nebo je to obráceně. Takže nelze rozhodnout.
2) Uds>Ugs, na obrázku mosfet1.gif je Qg od asi 3nC do 10nC, Ugs je konstantních asi 3V. Se zvyšujícím se Qg se postupně natahuje kanál od S k D. Id je pořád víceméně 0. V tomto případě je délka kanálu řízena jednoznačně nábojem. Napětí je totiž konstantní. Jelikož je ale Id skoro nula, není to moc zajímavý režim.
3) Uds>Ugs, na obrázku mosfet1.gis je Qg od asi 10nC. Kanál je natažen až k D a tam je zaškrcen. Napětí v kanálu postupně roste - u S bude 0, u zaškrcení bude o prahové napětí nižší než na hradle. To zaškrcení se ustálí tak široké, aby skrz teklo právě tolik proudu, kolik pojme kanál, takže tranzistor se chová jako zdroj proudu. Ustálí se určité rozložení náboje podél kanálu z obou stran dielektrika - na hradle i v kanálu. Tohle rozložení náboje záleží na Ugs, tvaru kanálu, dielektrika atd. Když to budu počítat, tak vyjdu z napětí Ugs, z toho spočítám průběh náboje na hradle a v kanálu a pak součtem zjistím celkový náboj Qg. Kdybych to měl počítat obráceně, tj. z Qg určit Ugs, tak je to naprosto šílený. Proto si to představuju spíš tak, že to celé řídím napětím Ugs a zbytek se odvíjí od toho napětí. Asi je to subjektivní, ale v tomhle režimu bych to chápal, že tranzistor je řízen napětím.
4) Uds<<Ugs. Tady se tranzistor nechová jako zdroj proudu, ale spíš jako proměnlivý odpor. Napětí mezi hradlem a kanálem je všude zhruba stejné, takže je to takový kondenzátor. Zase je těžko říct, jestli je napětí způsobené nábojem, nebo naopak. Záleží asi hlavně na tom, jak ten tranzistor budím. Když to bude normální spínací tranzistor, tak mu elektrodou přivádím hlavně napětí, které má nějaký význam, a náboj je pro mě parazitní jev. Když to bude nějaký tranzistor s izolovaným hradlem v EPROM nebo DRAM paměti, tak ho zase spíš řídím nábojem, který mám někde schovaný. Takže záleží na způsobu buzení. Nicméně, trochu bych v tomhle případě preferoval to řízení nábojem, protože právě množství náboje v kanálu (a tedy na hradle) určuje vodivost. Napětí mě zase tak moc nezajímá, pokud jde o pochopení funkce tranzistoru. To je ten Tvůj příklad s oddálením hradla.
Takže si myslím, že je to jednak subjektivní věc, a i ten můj subjektivní pohled se ještě liší případ od případu. Obecně říci nelze nic a klidně bych to nazýval tranzistor řízený polem, jen abych to odlišil od bipolárů. I když, samozřejmě, lze říct, že i MOSFET je řízený proudem - tím proudem se řídí rychlost otevření.
)
