Buzení unipoláru
Moderátor: Moderátoři
Buzení unipoláru
Zdravim,
Chtěl bych se zeptat proč se v některých zapojeních používá k buzení unipolárních trandů symetické napětí a někde nesymetrické ? Má to nějaký podstatný vliv na vypínací časy nebo je to kvůli konstrukci samotného spínacího prvku ?
Je to tak že N-FET s vodivým kanálem neuzavřu uzemněním jeho hradla ale pouze přivedením záporného napětí na gate ?
Kdežto N-FET s indukovaným kanálem stačí pro uzavření uzemnit ?
Má tedy smysl řídit N-FET s indukovaným kanálem signálem se symetrickým napětím ?
Ještě jen tak na okraj. V datashitu pro IGBT tranzistory jsem nenašel údaj který by mi řekl jakého typu je vstupní trand. Podle čeho tedy volit ?
Děkuji.
Chtěl bych se zeptat proč se v některých zapojeních používá k buzení unipolárních trandů symetické napětí a někde nesymetrické ? Má to nějaký podstatný vliv na vypínací časy nebo je to kvůli konstrukci samotného spínacího prvku ?
Je to tak že N-FET s vodivým kanálem neuzavřu uzemněním jeho hradla ale pouze přivedením záporného napětí na gate ?
Kdežto N-FET s indukovaným kanálem stačí pro uzavření uzemnit ?
Má tedy smysl řídit N-FET s indukovaným kanálem signálem se symetrickým napětím ?
Ještě jen tak na okraj. V datashitu pro IGBT tranzistory jsem nenašel údaj který by mi řekl jakého typu je vstupní trand. Podle čeho tedy volit ?
Děkuji.
Našel jsem v jednom článku "Tranzistor IGBT se musí vypínat záporným napětím, není dovoleno vypínat je pouze nulovým napětím."
http://www.zesilovace.cz/view.php?cislo ... 2003060202
Sice jsem v datashitu neviděl zdali by se měl vypínat záporným napětím, zato se uvádí propustný proud při Uge=0V z čehož bych soudil, že stačí zemnit.
Tak kde je pravda ? Nebo to prostě není až tak podstatné a "jen" to zlepší dynamické vlastnosti a odolnost vůči rušení ?
A jak by jste spojovali paralelně IGBT ? jako bipolární trandy s malým emitorovým odporem ?
Díky.
http://www.zesilovace.cz/view.php?cislo ... 2003060202
Sice jsem v datashitu neviděl zdali by se měl vypínat záporným napětím, zato se uvádí propustný proud při Uge=0V z čehož bych soudil, že stačí zemnit.
![Question :?:](./images/smilies/icon_question.gif)
A jak by jste spojovali paralelně IGBT ? jako bipolární trandy s malým emitorovým odporem ?
Díky.