Porovnání Ge vs. Si tranzistory
Moderátor: Moderátoři
Porovnání Ge vs. Si tranzistory
Při úklidu jsem narazil na menší zásobu Ge tranzistorů, tak by mě zajímalo, zda mají nějakou vlastnost, pro kterou je nelze nahradit modernímy (zejména Si) tranzistory. Ze školy o nich vím jen tolik, že mají velký klidový proud, velmi závislý na teplotě, a malé napětí UBE.
Nízkofrekvenční Ge tranzistory jsou dobře použitelné jako usměrňovač pro měřidlo VU-metru, protože mají malé napětí Ube - spojením kolektoru a báze získáš diodu s velmi malým úbytkem napětí v propustném směru, jen v závěrném směru je třeba dát pozor na dovolené napětí Ueb.
Driftové tranzistory (OC170, 171) se nehodí ani k tomu, protože se jim přechod báze-emitor polarizovaný v závěrném směru proráží už pod 0,5V. Zato je lze použít v zapojeních s velmi malým napájecím napětím, běžně stačí 1,5V.
Driftové tranzistory (OC170, 171) se nehodí ani k tomu, protože se jim přechod báze-emitor polarizovaný v závěrném směru proráží už pod 0,5V. Zato je lze použít v zapojeních s velmi malým napájecím napětím, běžně stačí 1,5V.
- radekrd
- Příspěvky: 642
- Registrován: 21 kvě 2008, 02:00
- Bydliště: Moravský Krumlov
- Kontaktovat uživatele:
Ge tranistory měly menší Ube (asi 0.2V), některé měly velké povolené závěrné napětí Ueb, čehož se někdy využívalo (křemíkové mají vpodstatě vždy 4-5V). Naopak některé vf typy měly toto napětí jen pár desetin voltu a šly tak zničit i pouhým otestováním běžným diodovým testerem (multimetrem). Celkově měly horší tepelnou stabilitu parametrů, spolehlivost a max. provozní teplotu čipu zhruba poloviční v porovnání s křemíkem (nutná větší opatrnost při pájení).
Já si zas odněkud pamatuju, že Ge tranzistory jsou údajně lepší na jednoduché měniče napájené z malého napětí, třeba z jednoho 1,5V článku. Měniče jako třeba k výrobě 300V k blesku nebo k výrobě záporného nebo symetrického napětí +-15V pro přístroje s operačními zesilovači apod. Mají prostě na takto malá napětí lepší účinnost. Taky mají (myslím) údajně větší závěrné napětí UEB, což se u těch měničů někdy využívá.
Kromě náhrady při poruše historických přístrojů bych je asi dobrovolně nikam necpal. Ty svodové proudy jsou tak velké, že při zkoušce ohmetrem jeden neví, jestli je tranzistor dobrý nebo v pánu.
Teď si vzpomínám ještě na jedno použití Ge tranzistorů v pouzdrech co měly 101NU70 a spol. Používal jsem jejich kovové čepičky jako subtilní ozdobná tlačítka na izostaty. Stačilo tranzistor zahřát nad plynem a systém vystřelil ven. Zůstal elegantní kovový klobouček - tlačítko. To jsem dělal v době obecného nedostatku materiálu.
Kromě náhrady při poruše historických přístrojů bych je asi dobrovolně nikam necpal. Ty svodové proudy jsou tak velké, že při zkoušce ohmetrem jeden neví, jestli je tranzistor dobrý nebo v pánu.
Teď si vzpomínám ještě na jedno použití Ge tranzistorů v pouzdrech co měly 101NU70 a spol. Používal jsem jejich kovové čepičky jako subtilní ozdobná tlačítka na izostaty. Stačilo tranzistor zahřát nad plynem a systém vystřelil ven. Zůstal elegantní kovový klobouček - tlačítko. To jsem dělal v době obecného nedostatku materiálu.
4x 103NU71 (dle krabičky, nápisy na T jsou skoro smazané)
7x 154NU70
3x GC509
3x GS506 (u dvou je poslední číslice nečitelná)
2x ?507
1x ?156?
2x OC75
1x OC76
4x OC1075
1x OC170
22x dioda OA 1160
15x dioda OA 1161
Je to spíš orientačně, protože, někde jsem jen hádal typ podle ostatních, tam kde ani to nešlo je "?".
Na půdě a ve sklepě ještě něco bude, ale tam se zatim nedostanu.
7x 154NU70
3x GC509
3x GS506 (u dvou je poslední číslice nečitelná)
2x ?507
1x ?156?
2x OC75
1x OC76
4x OC1075
1x OC170
22x dioda OA 1160
15x dioda OA 1161
Je to spíš orientačně, protože, někde jsem jen hádal typ podle ostatních, tam kde ani to nešlo je "?".
Na půdě a ve sklepě ještě něco bude, ale tam se zatim nedostanu.
Jeden známý mě říkal, že germanium při určité teplotě leguje, nečistoty se odplaví na okraj a tranzistor má pak vynikající šumové a frekvenční vlastnosti. Ale je to někde nad 80 stupňů, možná těsně před zničením.
Osobně jsem před 30ti lety zkoušel porovnat šum KC508 nebo 509 a GC508 a germanium znatelně vyhrálo. Pamatuju si, že ten GC musel být bez bázového odporu, využíval jsem jeho IC0. Kdybych si našel čas, tak to zkusím znovu.
Uvědomte si, že křemík se prosadil kvůli tomu, že se hodí pro výrobu integrovaných obvodů.
Osobně jsem před 30ti lety zkoušel porovnat šum KC508 nebo 509 a GC508 a germanium znatelně vyhrálo. Pamatuju si, že ten GC musel být bez bázového odporu, využíval jsem jeho IC0. Kdybych si našel čas, tak to zkusím znovu.
Uvědomte si, že křemík se prosadil kvůli tomu, že se hodí pro výrobu integrovaných obvodů.
Nejde to? To bude ucpaný drát. Zpříčený elektron. Profouknout.
Si je hlavně mnohem dostupnější prvek podle http://cs.wikipedia.org/wiki/Zem%C4%9B je to třetí prvek dle hmotnosti (tvoří 17,2% hmotnosti Země).
Někde sem četl, že se Ge a Si vrstvy v IO mixují dle potřeby.
Někde sem četl, že se Ge a Si vrstvy v IO mixují dle potřeby.