oled píše:Jeden známý mě říkal, že germanium při určité teplotě leguje, nečistoty se odplaví na okraj a tranzistor má pak vynikající šumové a frekvenční vlastnosti. Ale je to někde nad 80 stupňů, možná těsně před zničením.
Osobně jsem před 30ti lety zkoušel porovnat šum KC508 nebo 509 a GC508 a germanium znatelně vyhrálo. Pamatuju si, že ten GC musel být bez bázového odporu, využíval jsem jeho IC0. Kdybych si našel čas, tak to zkusím znovu.
Uvědomte si, že křemík se prosadil kvůli tomu, že se hodí pro výrobu integrovaných obvodů.
Germaniák ohřátý na 80°C je většinou už protavený na ultimo. Ge trandy mají kladný teplotní součinitel a při ohřevu stoupá jejich klidový proud a tím se samy dál ohřívají - a zároveň roste i jejich šum. Křemíky šumí mnohem méně - důvody jsou způsobeny rozdíly v kvantové stavbě valenční sféry atomu a v dotování polovodiče. Prosazení křemíku na úkor germánia bylo způsobeno nikoliv "vhodností pro tvorbu IO", ale protože PN přechod v germániu má mnohem větší závěrný proud než ten samý přechod v křemíku (rozdíl několika řádů) a protože křemíkové čipy jsou daleko odolnější vůči teplu než germániové.
Zmije píše:...
Někde sem četl, že se Ge a Si vrstvy v IO mixují dle potřeby.
Tos četl blbě - maximálně se může jednat o vrstvy s různou dotací, takže vznikají vrstvy P a N polovodiče, ale že by se kombinovaly na jednom čipu, vzniklém vyřezáním z monokrystalu polovodiče dva různé prvky (konkrétně Si a Ge) jsem ještě neslyšel...
Nasliněný prst na svorkovnici domovního rozvaděče: Jó, paninko, máte tam ty Voltíky všecky...
A kutilmile - nelituju tě
![Mr. Green :mrgreen:](./images/smilies/icon_mrgreen.gif)
!!!