Ochrana I/O

Problémy s návrhem, konstrukcí, zapojením, realizací elektronických zařízení

Moderátor: Moderátoři

Zpráva
Autor
Uživatelský avatar
Aqarel
Příspěvky: 241
Registrován: 04 úno 2007, 01:00
Kontaktovat uživatele:

#16 Příspěvek od Aqarel »

Mas nejspis pravdu, uz vidim proc multisim vypocital co vypocital. On bere vstup a vystup jako propojene, takze proud tekl pres odpor R1 na vstupu a pak do zeme. Podle datasheetu by se to melo chovat trosicku jinak, vystup by mel prizemnit tranzistor. http://www.ti.com/lit/ds/symlink/sn74ls245.pdf

Odpory vychazi dost velke. V simulinku po propojeni vystupu se vstupem zapojeni nefunguje ani na 100 kHz (log. 0 ma 1.2 V). Tezko rict jak to bude ve skutecnosti, kdyz modely IO nejsou nijak dokonale.

Pokud bych uvazoval parazitni kapacitu mezi vstupem a vystupem 20 pF a odpor je 510R, tak by to mohlo chodit do cca 30 Mhz

PS: Jak velkou parazitni kapacitu mohou mit metalizovane R v pouzdru R0207? Podle tabulky uvedene pro smd http://www.venkel.com/pdfs/engineeringd ... icdata.pdf by mohl mit tak do cca 1pF. Potom bych alespon na vystup mohl pouzit R0207 a snizit tak odpor ze 180 na 82, cimz by to zase melo byt o neco lepsi. Nebo myslite kdyz dam dva SMD R do serie tak to bude vhodnejsi?
Přílohy
output.JPG
(41.48 KiB) Staženo 50 x
Šílený web šíleného člověka, jak mi kdosi řekl: The Imaginary World - imaginaryworld.xf.cz

Odpovědět

Zpět na „Řešení problémů s různými konstrukcemi“