Výkonové spínanie MOSFETom
Moderátor: Moderátoři
- Last_HighLander
- Příspěvky: 51
- Registrován: 07 kvě 2013, 02:00
- Bydliště: Ždiar
- ZdenekHQ
- Administrátor
- Příspěvky: 25593
- Registrován: 21 črc 2006, 02:00
- Bydliště: skoro Brno
- Kontaktovat uživatele:
Tak necituj wiki a trošku se podívej na rozdíl mezi IGBT a FETem při spínání výkonu kolem 2.5kW.Last_HighLander píše:... priznám sa, že som goooglil aby som ti rozumel. Takéto tranzistory majú využitie citujem wiki:
např.:
do elektrických lokomotiv a jednotek,
do trolejbusů a tramvají
Já je používám třeba v detektoru kovů (FGA25N120) a to určitě lokomotiva ani trolejbus není.
Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Feritové krúžky-koralky sa nasunú na jeden vývod odporu.
http://www.newark.com/pdfs/techarticles ... FCEMIS.pdf
http://www.tracepartsonline.net/%28S%28 ... 012-110910&
http://www.irf.com/technical-info/appno ... df#page=12
http://www.newark.com/pdfs/techarticles ... FCEMIS.pdf
http://www.tracepartsonline.net/%28S%28 ... 012-110910&
http://www.irf.com/technical-info/appno ... df#page=12
- Přílohy
-
- Para_oscil.JPG
- (34.2 KiB) Staženo 43 x
- Last_HighLander
- Příspěvky: 51
- Registrován: 07 kvě 2013, 02:00
- Bydliště: Ždiar
Ku ZdenekHQ: pozeral som parametre FGA25N120. Ten má saturačné napätie 2,5V. Pri 10A tam bude výkonová strata 25W, to presne má môj jeden FET - odpor v zopnutom stave 0,25 ohm, pri 10A sa to tiež hreje 25W. Preto tam chcem narvať dva MOSFETy. Možno by bol lepší IGBT tranzistor: https://www.distrelec.sk/tranzistory-ig ... pbf/605428 ten má saturačné napätie iba 1,4V.
Ku: procesor: tie linky sú veľmi poučné, nestačí mať jeden spoločný Gate odpor, skúsim sa pozrieť či u nás dostať tie krúžky.
Zatiaľ fungujem s jedným horúcim FETom.
Vážim si Vašu snahu pomôcť.
Ku: procesor: tie linky sú veľmi poučné, nestačí mať jeden spoločný Gate odpor, skúsim sa pozrieť či u nás dostať tie krúžky.
Zatiaľ fungujem s jedným horúcim FETom.
Vážim si Vašu snahu pomôcť.
Keď to spínanie je len raz za čas, daj do g 100 Ω. Tie malé odpory sú optimalizované na rýchle prebehy. Staticky stačia aj väčšie. Zväčší sa impedancia v kritickom prepojení dvoch gate-ov a lepšie sa zatlmia oscilácie. Ani tie ferity nebude treba.
To rellé zapoj paralelne k jedinému mosu a nič sa nebude hriať. Uprav postup spínania. Najprv zopni MOS, potom o 0,5s RELÉ. Vypínanie naopak.
To rellé zapoj paralelne k jedinému mosu a nič sa nebude hriať. Uprav postup spínania. Najprv zopni MOS, potom o 0,5s RELÉ. Vypínanie naopak.
- Last_HighLander
- Příspěvky: 51
- Registrován: 07 kvě 2013, 02:00
- Bydliště: Ždiar
"To rellé zapoj paralelne k jedinému mosu a nič sa nebude hriať. Uprav postup spínania. Najprv zopni MOS, potom o 0,5s RELÉ. Vypínanie naopak."
Najprv sa mi to páčilo, ale v akom stave je tranzistor ktorý ma bypas od relé? Je otvorený - zatvorený? Lebo ak sa potom rozopne toto relé môžem chytiť oblúk a som tam kde som bol.
Zatiaľ sa prikláňam ku riešeniu: 2 x FET, 2 x100 ohm na gate, 2x2k na uzemnenie Gate a Re2 bude mať v nezopnutom stave rozopnutý kontakt na zemi teda Gate bude uzemnený. To hádam zastaví oscilácie na FEToch.
Ak niekto vidí chybu tohoto riešenia nech to povie hneď, alebo nikdy.
Najprv sa mi to páčilo, ale v akom stave je tranzistor ktorý ma bypas od relé? Je otvorený - zatvorený? Lebo ak sa potom rozopne toto relé môžem chytiť oblúk a som tam kde som bol.
Zatiaľ sa prikláňam ku riešeniu: 2 x FET, 2 x100 ohm na gate, 2x2k na uzemnenie Gate a Re2 bude mať v nezopnutom stave rozopnutý kontakt na zemi teda Gate bude uzemnený. To hádam zastaví oscilácie na FEToch.
Ak niekto vidí chybu tohoto riešenia nech to povie hneď, alebo nikdy.
- ZdenekHQ
- Administrátor
- Příspěvky: 25593
- Registrován: 21 črc 2006, 02:00
- Bydliště: skoro Brno
- Kontaktovat uživatele:
Já samozřejmě používám ten IGBT kvůli tomu, že vydrží 1200V, pak logicky bývá saturační napětí větší.Last_HighLander píše:Ku ZdenekHQ: pozeral som parametre FGA25N120. Ten má saturačné napätie 2,5V. Pri 10A tam bude výkonová strata 25W, to presne má môj jeden FET
Ten odpor FETu v sepnutým stavu taky nesedí přesně na setinu ohmu, stačí málo (třeba pajcovaná kopie) a klidně může být dvojnásobnej.
Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Pravda. Přemýšlel jsem o tom samém systému. Solár přímo na bojler. Nějak jsem to podcenil.ZdenekHQ píše:DC stykač je docela drahá věc, běžný AC použít nelze.
A když se ten mosfet nebo IGBT prorazí? Tak to skrz ten oblouk vypálí to relé. Stejně bych tam dal radši jistič a přes dva kontakty odpojoval jak + tak -. Tím by (při náhodném proražení tranzistoru) se v součtu zvětšila vzdálenost kontaktů a bylo by kratší hoření oblouku.
NMOS je otvorený keď má na G kladné napätie, pri dvoch paralelných je predsa rovnaká situácia.
Pri odpájaní sa odpojí prvé relé (MOS je zopnutý), potom odpojíš MOS.
V podstate iba pri zmene stavu relé (ON/OFF) stačí predtým zapnúť MOS a vypnúť po prepnutí relé.
Pri odpájaní sa odpojí prvé relé (MOS je zopnutý), potom odpojíš MOS.
V podstate iba pri zmene stavu relé (ON/OFF) stačí predtým zapnúť MOS a vypnúť po prepnutí relé.
- Přílohy
-
- reléParalelFet_diagr.JPG
- (30.66 KiB) Staženo 41 x
Naposledy upravil(a) procesor dne 30 črc 2013, 17:19, celkem upraveno 1 x.
- HiGhLaNdEr
- Příspěvky: 912
- Registrován: 08 bře 2005, 01:00
- Bydliště: Českobudějovicko
- Kontaktovat uživatele:
- Last_HighLander
- Příspěvky: 51
- Registrován: 07 kvě 2013, 02:00
- Bydliště: Ždiar