Budič IGBT z 555
Moderátor: Moderátoři
Budič IGBT z 555
Dobrý den.
Potřebuji nebo chtěl bych přejít z mosfetu na IGBT. Jedná se o spínání vysokofrekvenčního/napětového tráfka. Jako budič mám 555 ale nevím zda-li to na to můžu rovnou dát nebo jestli nemusím přidat součástky právě pro IGBT navíc. Druhá věc je zda-li se dá udělat na 555 poloviční můstek. Děkuji.
Napětí primáru bude asi 230. Napětí na výstupu ideálně alespoň 30KV.
EDIT:
Časem bych chtěl s onýma IGBT-čkama přejít na napájení tesláku. Zatím zkouším jiskřišťový.
Potřebuji nebo chtěl bych přejít z mosfetu na IGBT. Jedná se o spínání vysokofrekvenčního/napětového tráfka. Jako budič mám 555 ale nevím zda-li to na to můžu rovnou dát nebo jestli nemusím přidat součástky právě pro IGBT navíc. Druhá věc je zda-li se dá udělat na 555 poloviční můstek. Děkuji.
Napětí primáru bude asi 230. Napětí na výstupu ideálně alespoň 30KV.
EDIT:
Časem bych chtěl s onýma IGBT-čkama přejít na napájení tesláku. Zatím zkouším jiskřišťový.
- forbidden
- Příspěvky: 8808
- Registrován: 14 úno 2005, 01:00
- Bydliště: Brno (JN89GF)
- Kontaktovat uživatele:
IGBT se budí stejně jako MOSFET, takže pokud ti to funguje s MOSFETem, bude to fungovat i s IGBT (buzení). Ideální to ale zdaleka není, 555 nedá dostatečnej proud, aby se otevření a zavření dalo považovat za rychlý. Ale záleží samo i na frekvenci spínání.
Polomůstek udělat jde, ale myslím, že 555 neumí střídu 50 %. Myslím, buď víc, nebo míň, takže to bude lehce nesymetrický.
Polomůstek udělat jde, ale myslím, že 555 neumí střídu 50 %. Myslím, buď víc, nebo míň, takže to bude lehce nesymetrický.
- forbidden
- Příspěvky: 8808
- Registrován: 14 úno 2005, 01:00
- Bydliště: Brno (JN89GF)
- Kontaktovat uživatele:
Bipolární tranzistory se řídí proudem, ten budič by musel být schopnej dodávat budící proud trvale, což není. Trvale dá jen zlomek špičkové hodnoty, která stačí k rychlýmu otevření MOSFETu, ale bipoláru ne. Můžeš použít darlington, ale na tom je zas větší úbytek, což může při větších proudech vadit.
To mne udivuje. Katalogově 555 dává 200mA.forbidden píše:...555 nedá dostatečnej proud, aby se otevření a zavření dalo považovat za rychlý. Ale záleží samo i na frekvenci spínání.
Polomůstek udělat jde, ale myslím, že 555 neumí střídu 50 %. Myslím, buď víc, nebo míň, takže to bude lehce nesymetrický.
A jak z 555 dostat střídu 1:1 existuje hned několik zapojení, jsou běžně v datasheetu i na webu.
Svět vypadá dobře jen při pohledu přes koňské uši.
- ZdenekHQ
- Administrátor
- Příspěvky: 25593
- Registrován: 21 črc 2006, 02:00
- Bydliště: skoro Brno
- Kontaktovat uživatele:
Jestli jde o to, aby to přeneslo větší výkon přes (polo)můstek, tak to chce komplexní návrh včetně snímání proudu, a ne 555. Synchronizovat jde cokoliv, i UCxxxx.
P.S. Abych to napsal "česky" : běžná příčina amatérských ohňostrojů je přesycení neznámého jádra při snaze o neustálé zvyšování výkonu měniče.
P.S. Abych to napsal "česky" : běžná příčina amatérských ohňostrojů je přesycení neznámého jádra při snaze o neustálé zvyšování výkonu měniče.
Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
- weed_smoker
- Příspěvky: 2675
- Registrován: 02 pro 2011, 01:00
- Bydliště: Jaroměř
Obvykle se používá invertor ze 3 trandů s komplementárním výstupem.
Jde to posílit i výkonovym logickym členem,kterej snese napájení napětím tolik,aby to bylo dost na plný otevření MOSFETu/IGBT.To napětí bejvá 8-15V podle typu,kanálu a výkonu,některý jdou otvírat naplno i 5V(IRLxxx,IRLZxx). Z dostupnejch obvodů by vyhovovaly asi 4049,4050,snad MZH145 a možná nějaký TTL s otevřenym kolektorem(7406/07/16/17/38/42 a 74154) a k výstupu dát pull-up 1k na to vyšší napětí.
Jsou na to i speciální optrony (HCNWxxxx/HCPLxxxx),akorát jsou drahý.
A možná důležitější je řešit ochrany proti dU/dT a jehlám z indukční zátěže(někdy stačí na ochranu i RC článek mezi D a S a zenerka 15V mezi G a zem).
Testovací vzorek(bez časovýho zpoždění připnutí trafa) :
A se schématem:
Jde to posílit i výkonovym logickym členem,kterej snese napájení napětím tolik,aby to bylo dost na plný otevření MOSFETu/IGBT.To napětí bejvá 8-15V podle typu,kanálu a výkonu,některý jdou otvírat naplno i 5V(IRLxxx,IRLZxx). Z dostupnejch obvodů by vyhovovaly asi 4049,4050,snad MZH145 a možná nějaký TTL s otevřenym kolektorem(7406/07/16/17/38/42 a 74154) a k výstupu dát pull-up 1k na to vyšší napětí.
Jsou na to i speciální optrony (HCNWxxxx/HCPLxxxx),akorát jsou drahý.
A možná důležitější je řešit ochrany proti dU/dT a jehlám z indukční zátěže(někdy stačí na ochranu i RC článek mezi D a S a zenerka 15V mezi G a zem).
Testovací vzorek(bez časovýho zpoždění připnutí trafa) :
A se schématem: