Spínání výkonového tranzistoru
Moderátor: Moderátoři
- ZdenekHQ
- Administrátor
- Příspěvky: 25593
- Registrován: 21 črc 2006, 02:00
- Bydliště: skoro Brno
- Kontaktovat uživatele:
Myslím, že takovej IRFZ44 se dostatečně otevře i při 5V a ztrátovej výkon na něm bude minimální. Pokud tam ovšem nemáš 230V
Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
To Mikollar: Myslim si, ze schema na predchozi strane nebude moc dobre fungovat, protoze R1 tvori zapornou zpetnou vazbu pro T1 a brani tak jeho uplnemu otevreni. Na miste T1 by bylo asi lepsi pouzit tranzistor PNP pripojeny emitorem na napajeci napeti. Do baze bych zapojil odpor v serii se zenerkou na asi 7V, aby pri 5V na vstupu se T1 nesepnul. Pokud na vstupu bude 0V, sepne se T1 a ubytek na R1 sepne MOSFET.
Øekl bych, že tohle je blbost. V pøi zavøeném tranzistoru to bude stejné, protože to dìlá ten odpor, a pøi otevøeném tranzistoru je to lepší podle toho obrázku s NPN tranzistorem. Ten se sepne líp. Možná bych mu pro jistotu dal odpor do báze, ale asi je to zbyteènej pøepych. Jinak super zapojení.Anonym píše:To Mikollar: Myslim si, ze schema na predchozi strane nebude moc dobre fungovat, protoze R1 tvori zapornou zpetnou vazbu pro T1 a brani tak jeho uplnemu otevreni. Na miste T1 by bylo asi lepsi pouzit tranzistor PNP pripojeny emitorem na napajeci napeti. Do baze bych zapojil odpor v serii se zenerkou na asi 7V, aby pri 5V na vstupu se T1 nesepnul. Pokud na vstupu bude 0V, sepne se T1 a ubytek na R1 sepne MOSFET.
To Pitr: T1 na obrazku co nakreslil Mikolar se nemuze sepnout lip, protoze ubytek na odporu R1 se odecita od vstupniho napeti a snizuje tak napeti mezi B a E T1, cimz brani jeho uplnemu otevreni. Netvrdim, ze to nebude vubec fungovat, asi to nejak fungovat bude, ale pro co nejlepsi sepnuti FET-u je nutne co nejvetsi budici napeti mezi jeho G a S. V pripade zapojeni, ktere jsem popsal s pouzitim PNP na miste T1 bude pri jeho sepnuti ubytek na R1 (= budici napeti FET-u) temer celych 12V zmensene o saturacni napeti T1. V pripade jak je to nakresleno na schematu tam bude necelych 5V (= vstupni napeti 5V - ubytek na prechodu B-E T1).
Skuteènì tam bude jen asi 4,3V, jenže se pøedpokládá, že ten MOS-FET je na takové napìtí, takže to není problém. Ale tìch 4,3V to sepne krásnì. Kdyby na møížce bylo napìtí menší, otevøe se T1 a hned to dorovná. A žádnej odpor mu v tom nezabrání. A otevøe se opravdu hodnì, na maximum. V tom tvém zapojení máš s otevøením na maximum vìtší problém, protože bys potøeboval velikej proud do báze. A musel bys ho tam pouštìt poøád, což samozøejmì neudìláš, takže se ti otevøe míò. A když to udìláš, budeš mít zase jiný problémy (teplo, ...). Takže, pokud je dostupný FET na 4,3V, je ten NPN tranzistor lepší.Anonym píše:To Pitr: T1 na obrazku co nakreslil Mikolar se nemuze sepnout lip, protoze ubytek na odporu R1 se odecita od vstupniho napeti a snizuje tak napeti mezi B a E T1, cimz brani jeho uplnemu otevreni. Netvrdim, ze to nebude vubec fungovat, asi to nejak fungovat bude, ale pro co nejlepsi sepnuti FET-u je nutne co nejvetsi budici napeti mezi jeho G a S. V pripade zapojeni, ktere jsem popsal s pouzitim PNP na miste T1 bude pri jeho sepnuti ubytek na R1 (= budici napeti FET-u) temer celych 12V zmensene o saturacni napeti T1. V pripade jak je to nakresleno na schematu tam bude necelych 5V (= vstupni napeti 5V - ubytek na prechodu B-E T1).
To Pitr: Podle katalogoveho listu muze byt prahove napeti BUZ10 az 4V. Nejsem si tedy jisty, jestli 4.3V mezi jeho G a S bude stacit k jeho uplnemu sepnuti a rizeni zateze 40W tak, aby se moc nehral a mohl fungovat jen s nejakym malym chladicem. Vykonova ztrata v tomto pripade bude dost velka, rozhodne vetsi, nez v zapojeni, co jsem popsal. Dal mi neni jasne, co myslis tim velkym vstupnim proudem. Ten prece zalezi na velikosti R1 a proudovem zesileni T1 a bude v obou pripadech zhruba stejny (za predpokladu stejneho napeti na R1).
Podle pøíspìvkù výše jsem mìl dojem, že FET je vybrán a je ideální ho spínat cca 5V. V katalogových listech jsem nehledal. Já myslel, že ti jde o to, že ten tranzistor se málo otevøe, kvùli tomu odporu. Jestli ti jde o to, že chceš zvýšit napìtí na møížce, tak to dává smysl, ale z toho pøíspìvku se to pochopit fakt nedá. Tranzistor T1 je prostì zapojen se spol. kolektorem, takže se "úplnì otevøít" (asi jsi to myslel tak, aby bylo UCE=0) nedá a ani to nedává dobrej smysl. A nìjakej odpor za to fakt nemùže.
Mohl bych se zeptat jaký použít fet pro spínání odporové zátěže 40W na 3,5V?
Zkoušel jsem to v simulátoru a některé se neotevřeli vůbec a některé se otevřou jen trochu.
Jediný s kterým mi to v simulátoru funguje je nějaký IRLR3705Z. Ale než něco objednám, tak se raději zeptám. Přece jen je to jen simulátor a realita může bejt jiná.
Děkuji
Zkoušel jsem to v simulátoru a některé se neotevřeli vůbec a některé se otevřou jen trochu.
Jediný s kterým mi to v simulátoru funguje je nějaký IRLR3705Z. Ale než něco objednám, tak se raději zeptám. Přece jen je to jen simulátor a realita může bejt jiná.
Děkuji
- ZdenekHQ
- Administrátor
- Příspěvky: 25593
- Registrován: 21 črc 2006, 02:00
- Bydliště: skoro Brno
- Kontaktovat uživatele:
Na to nejde zas tak jednoduše odpovědět, ale bude to práce spíš pro bipolární tranzistor.
Místo 40W raději napiš proud a napětí, stejně tak max. povolený proud toho budícího napětí 3.5V a požadovanou rychlost spínání.
Místo 40W raději napiš proud a napětí, stejně tak max. povolený proud toho budícího napětí 3.5V a požadovanou rychlost spínání.
Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]