Elektronická zátěž

Problémy s měřícími přístroji, detektory fyzikálních veličin, detektory kovů a další

Moderátor: Moderátoři

Zpráva
Autor
Uživatelský avatar
Victronix
Příspěvky: 910
Registrován: 23 lis 2007, 01:00
Bydliště: Vážany

#46 Příspěvek od Victronix »

Po pečlivém zvážení jsem se rozhodl pro verzi s více tranzistory.
K tomu mě vedla myšlenka, že koupím tranzistor s neurčitými parametry za spoustu peněz a on shoří.
Už mám hotový oboustranný spoj ve verzi pro 5 tranzistorů. Jedná se o stejné zapojení s doplněním o další 2 páry operačních zesilovačů LM358.
Snímací rezistory uvažuji 0.22Ω 25W a místo rezistoru 2K v řídícím děliči bude 2K2. Tím by se řízení proudu pohybovalo od 0 do 9.9 A na jeden koncový stupeň.

Uvažuji o tranzistoru z původního zapojení IRFP150PBF. Bohužel 5 ks na Farnelu s dopravou vyjde na 830 Kč.

Už jen rezistory na E-Bayi jsou nejlevnější 5ks za 250,- Kč.

Máte někdo tip na vhodný levnější typ? Už jsem strávil mnoho času vybírání vhodného tranzistoru. Už mě to nebaví.

Uživatelský avatar
feliz_navidad
Příspěvky: 591
Registrován: 15 říj 2009, 02:00

#47 Příspěvek od feliz_navidad »

Proč používáš OZ, který má ofset 2mV a snímací odpor 0,22Ω? Tady http://cz.farnell.com/webapp/wcs/stores ... 1010114663 si vyber z odporů, které jsou na tyto aplikace přímo určené v hodnotě cca 0,025-0,01Ω a použij třeba OP07, který má ofset o řád menší než LM358. Výsledná cena je stejná nebo nižší a dá se to považovat za rozumný základ měřícího přístroje.

Uživatelský avatar
Victronix
Příspěvky: 910
Registrován: 23 lis 2007, 01:00
Bydliště: Vážany

#48 Příspěvek od Victronix »

feliz_navidad > Vycházím z původního zapojení. Moje znalosti operačních zesilovačů jsou minimální. Na rezistorech 0.22Ω při 10A bude 2,2V. Další úbytek bude na tranzistoru. Pokud by byl RDS(ON) = 0.1Ω, tak při 10A by byl úbytek 1V. Takže celkový úbytek napětí by byl do 3,5V. Nepředpokládám, že bych někdy využil zatěžování zdroje menšího než 3,5V a proud nad 50A (5x10A). Toto je pouze jako řídící obvod!
Pro zpětnou vazbu mám digitální ampérmetr s bočníkem ze dvou paralelně spojených rezistorů 0.003Ω 1%.

Spíše než kritizovat bych potřeboval poradit s tím tranzistorem.

Uživatelský avatar
feliz_navidad
Příspěvky: 591
Registrován: 15 říj 2009, 02:00

#49 Příspěvek od feliz_navidad »

1. Nekritizuju, snažím se doporučit vhodnější řešení
2. Já tomu nerozumím - kam tedy přijdou ty 0R22/25W, když ne jako snímací?

Uživatelský avatar
Victronix
Příspěvky: 910
Registrován: 23 lis 2007, 01:00
Bydliště: Vážany

#50 Příspěvek od Victronix »

Jsou jako snímací. Ale jen pro vstupy OZ.
Pro měření proudu mám snímací rezistor přesný na vstupu elektronické zátěže.
EDIT:Tou zpětnou vazbou jsem myslel vizuální zpětnou vazbu. Jako že si nastavím podle ampérmetru potřebný proud.

Uživatelský avatar
barnodaj
Příspěvky: 665
Registrován: 16 dub 2011, 02:00
Bydliště: Vodňansko

#51 Příspěvek od barnodaj »

Psal to tu už dříve "feliz_navidad" :
Zapomeň na výkony víc jak 100W v lineárním režimu z jednoho tranzistoru. Bez ohledu na katalogové údaje je maximální trvalá ztráta při velmi dobrém nuceném chlazení cca 50-60W z TO247 a podobných pouzder.


Nikde nepíšeš o maximálním napětí na zátěži, to je taky podstatný údaj pro výběr výkonového prvku!
To cos vybral (IRFP150PBF) - podle toho co píšeš výše, nemá v SOA uvedenu křivku pro DC zatížení. Pokud to srovnáš s IXYS, který jsi uváděl dříve bude DC podstatně níž, ale to je jen předpoklad. V reálu bych pořídil jeden dva tranzistory a tu SOA si ověřil.


Nákup levných tranzistorů na Ebay, nákup čehokoliv extra levného je česká nemoc.
Z ho..a bič neupleteš.
Ale třeba budeš mít štěstí.
Spíše ale za poloviční cenu dostaneš v lepším případě pouze poloviční kvalitu.

Zkus napsat do gůglu fake tranzistory a podívej se na obrázky, jak se může lišit velikost čipu ve stejném pouzdře od fake výrobců.

https://www.google.cz/search?biw=1408&b ... F0wbc7BNM8
Přílohy
IXFN 180N15P.png
(34.4 KiB) Staženo 58 x
IRFP150PBF.png
(102.38 KiB) Staženo 27 x

Uživatelský avatar
Victronix
Příspěvky: 910
Registrován: 23 lis 2007, 01:00
Bydliště: Vážany

#52 Příspěvek od Victronix »

....Proto jsem zvolil pětinásobný koncový stupeň, abych se dostal na 300W trvalého ztrátového výkonu. Napětí snad nikdy nebudu potřebovat větší než 100V.
O fake tranzistorech vím. Zatím jsem měl na součástky na e-bayi stěstí. Je jasné, že výkonové tranzistory by mě mohly zklamat. Proto hledám na farnellu. A hledám dobrý poměr mezi výkonem a cenou.

Uživatelský avatar
Victronix
Příspěvky: 910
Registrován: 23 lis 2007, 01:00
Bydliště: Vážany

#53 Příspěvek od Victronix »

Toto je můj favorit:
FQA140N10

Uživatelský avatar
barnodaj
Příspěvky: 665
Registrován: 16 dub 2011, 02:00
Bydliště: Vodňansko

#54 Příspěvek od barnodaj »

Umí 3 Ampéry při 100 Voltech, v každém případě je to při 5 tranzistorech 1500 Wattů ztráty, to bude dost tepla.

Uživatelský avatar
Victronix
Příspěvky: 910
Registrován: 23 lis 2007, 01:00
Bydliště: Vážany

#55 Příspěvek od Victronix »

Hele, barnodaj, buď jste tam dva, nebo máš schizofrenii.
V jednom příspěvku píšeš 50W až 60W na pouzdro. Pokud dobře počítám tak mých 5 tranzistorů dokáže odvést do chladiče 300W. A tomu věřím.
A pak tady začneš něco kecat o 3 A při 100V na tranzistor, celkem 1500W tepla :lol: .

Uživatelský avatar
barnodaj
Příspěvky: 665
Registrován: 16 dub 2011, 02:00
Bydliště: Vodňansko

#56 Příspěvek od barnodaj »

Psal jsi 5 tranzistorů a maximální napětí 100V, podle SOA snese FQA140N10 při 100 voltech 3 Ampéry, krát 5 tranzistorů, mi vyšlo 1500 Wattů tepla !!!

Jenom jsem pronásobil Tvoje čísla.

100V x 3A x 5 tranzistorů = 1500W pokud pojede zátěž na plný výkon při 100 voltech... :roll:

Ju???

Uživatelský avatar
Victronix
Příspěvky: 910
Registrován: 23 lis 2007, 01:00
Bydliště: Vážany

#57 Příspěvek od Victronix »

barnodaj> Cituji: Umí 3 Ampéry při 100 Voltech.

To nejsou moje čísla - napsal jsi je ty barnodaji.

Opravdu umí? Možná chlazený kapalným dusíkem.
Jinak těch 300W z toho nedostaneš pryč.
Na jednu stranu se bavíme o reálném případu a na druhou stranu tady teoretizuješ.
Kladl jsem jasné dotazy se slovem "Prosím".
A vy odpovídáte zcela mimo mísu. :roll:
Toto zapojení není jediné na celém světě.
Kdyby člověk pořád přemýšlel jak udělat všechna zapojení co nejlépe, tak neudělá nic a už vůbec nic se nenaučí.
Ale jsem si jist, že bude fungovat skvěle pro moje potřeby.

Ještě můžeš namítnout, že tam mám malý chladič a už tě kopnu do p*dele
:D. To bych tam, ale pak mohl dát víc tranzistorů..... :wink:

masar
Příspěvky: 12295
Registrován: 03 pro 2005, 01:00

#58 Příspěvek od masar »

barnodaj píše:Psal jsi 5 tranzistorů a maximální napětí 100V, podle SOA snese FQA140N10 při 100 voltech 3 Ampéry, krát 5 tranzistorů, mi vyšlo 1500 Wattů tepla !!!...
A co kdyby psal 10 tranzistorů?
Tak odsud žádný oslí můstek nevede. :wink:

Uživatelský avatar
Malda2010
Příspěvky: 78
Registrován: 25 zář 2010, 02:00
Bydliště: Plzeň jih

#59 Příspěvek od Malda2010 »

Zdravím, pokud by se hodily tyhle MOSFET:
http://www.ges.cz/cz/mosfet-n-fet-tranz ... 13236.html
tak jich pár mohu poslat na vyzkoušení (za poštovný)
Kondík: Není nad to, pořádně se vybít. Jejda a proč vznikl Ohmův kouř?

Uživatelský avatar
Victronix
Příspěvky: 910
Registrován: 23 lis 2007, 01:00
Bydliště: Vážany

#60 Příspěvek od Victronix »

Tento typ mi propadl sítem výběru mezi posledních pět. V grafu SOA jaksi není křivka pro DC provoz. A taky mě zaráží křivka ID / VGS. Proč křivka začíná ve 4.5V a 3.5A (při 25°C)?

Bylo by fajn, kdyby to někdo otestoval. Já na to nemám vědomosti.

Odpovědět

Zpět na „Měřící přístroje, detektory fyzikálních veličin“