SiC

Základní principy, funkce, rovnice, zapojení - t.j. vše, co byste měli vědět, než se pustíte do praktické realizace elektronického zařízení

Moderátor: Moderátoři

Odpovědět
Zpráva
Autor
Uživatelský avatar
Cust
Příspěvky: 5553
Registrován: 17 led 2007, 01:00
Bydliště: Husinec-Řež

SiC

#1 Příspěvek od Cust »

Právě mě dorazilo pár kusů tranzistorů vyrobených z karbidu křemíku. Je to nová technologie, máte s tím někdo nějaké zkušenosti?
Já mám mosfet C2M0280120D, koupil jsem ho pro generátor krátkých pulsů, standardní mosfet tranzistory mají diodu s dlouhým trr, zde je to o řád lepší, taky kapacity jsou někde jinde a cena? za hubičku. Mám čekat nějaké obstrukce, které v datasheetu nevidím?

Uživatelský avatar
PeteBurns
Zablokován
Zablokován
Příspěvky: 2576
Registrován: 08 říj 2007, 02:00

#2 Příspěvek od PeteBurns »

Myslim, ze budes spokojny, SiC suciastky su vyrazne rychlejsie a citelne menej sa zohrievaju ;)

samponek
Příspěvky: 2772
Registrován: 11 kvě 2015, 02:00

#3 Příspěvek od samponek »

SCTW100N65G2AG s gatedrivery UCC27531
22mΩ ! a hlavně ta nebrzdící dioda v praxi znamená déčkový, nebo TD zesilovač 2.5kW v nezměněném zapojení ještě míň se zahřívající oproti IRF644.

Uživatelský avatar
forbidden
Příspěvky: 8808
Registrován: 14 úno 2005, 01:00
Bydliště: Brno (JN89GF)
Kontaktovat uživatele:

#4 Příspěvek od forbidden »

Bacha na překmity na gate, podle mých zkušeností jsou mnohem míň tolerantní jak běžný FETy a prorazí se ochotněji. :)
Ideální buzení je +20 -5 V pro nejrychlejší otevření a zavření a nejmenší RDSon, ale zase UGS max je jen 25 V.

Uživatelský avatar
Cust
Příspěvky: 5553
Registrován: 17 led 2007, 01:00
Bydliště: Husinec-Řež

#5 Příspěvek od Cust »

Jo, s tím počítám, mám buzení +-15 V
musí se to předělat na +15 -5 V

samponek
Příspěvky: 2772
Registrován: 11 kvě 2015, 02:00

#6 Příspěvek od samponek »

Pokud pojedeš nad 0.5MHz a 200V dej jenom -3V a +13.5V, pak sem hoď měření, nebo výsledky pokusů.

Uživatelský avatar
Cust
Příspěvky: 5553
Registrován: 17 led 2007, 01:00
Bydliště: Husinec-Řež

#7 Příspěvek od Cust »

1 MHz - 400 V

samponek
Příspěvky: 2772
Registrován: 11 kvě 2015, 02:00

#8 Příspěvek od samponek »

OK :) potom sem hoď výsledek pokusů, jak to vypadá na cca 1.5 až 2MHz a 200V, pokud to pude tak 5 až 30A, indukčnost 5 až 10µH. Potřebuju to kvůli téčku se sigma-delta modulátorem druhého řádu.
Pak-li že to projde, bude zcela zbořeno dogma o spínacích zesilovačích a nutnosti vyvíjet lineární hifi zesilovače ve třídě AB.

Uživatelský avatar
Cust
Příspěvky: 5553
Registrován: 17 led 2007, 01:00
Bydliště: Husinec-Řež

#9 Příspěvek od Cust »

proč to 13.5 V a -3 V?

samponek
Příspěvky: 2772
Registrován: 11 kvě 2015, 02:00

#10 Příspěvek od samponek »

Protože mám praktickou zkušenost na 1300kHz s obyč mosfety a gatedriver bylo nutné chladit, kapacita Cgs je u SiC zhruba totožná.

Nakonec, když se Ti bude chtít a budeš mít čas, můžeš vzít ověřené zapojení Class D sampon 2200 stačí ho zapojit jen jednu půlku/ bez mostu/, osadit SiC nejlépe s příslušnými gatedrivery, brzdící kondíky 220p na vstupech gatedriverů zmenšit co to půjde, třeba na 47p a kondík ve zpětné vazbě integrátoru taky zmenšit co to pude, dát tomu DC 150V, jinak všechno můžeš nechat, tak jak je a zkontrolovat hertzmetrem na jakém kmitočtu to poběží. Takto upravené by to mělo naskočit aspoň na 700kHz. ( nyní to běží na 360kHz)

Uživatelský avatar
Cust
Příspěvky: 5553
Registrován: 17 led 2007, 01:00
Bydliště: Husinec-Řež

#11 Příspěvek od Cust »

Děkuji za úkol, ale mám své práce dost. Nicméně Cgs je poněkud jinde...

samponek
Příspěvky: 2772
Registrován: 11 kvě 2015, 02:00

#12 Příspěvek od samponek »

Ano, počítám se 100A SiC dostávám se na 3nF, samotný mosfet má k 1nF a musí být tři paralelně. Vzhledem ke gatedriveru je to zhruba totožné a proto -3 a +13.5V.
Ve výsledku však menší a to je dobře.

Odpovědět

Zpět na „Teorie“