šum nábojového zesilovače s bootstrap vazbou
Moderátor: Moderátoři
Náboj 1 elektronu udělá na diodě 50pF změnu napětí 3,2 nV.
Při šumu jFETu 1nV/sqrHz z toho vyrobím 100nV se šumem 30nV/sqrHz, líp to prostě nejde.
Na kapacitách záleží a to hodně, jejich poměry přesouvají napěťové šumové zisky.
Všimni si, že to mám s 2SK170, 30pF Cgs a 10pF Cgd není pro 50pF diodu rozhodně optimální.
http://www.ebastlirna.cz/modules/Forums ... im_915.png
Zdroj proudu s jFETem je tam, aby bylo dobré PSR, šumí trochu více, jak odpor a je teplotně závislý. Jeho kapacita 10pF zatěžuje bootstrap a trochu to zhoršuje odezvu (stejně jako vstupní kapacita OZ).
Druhý jFET navíc tam dělá stejně teplotně závislý zdroj kompenzace offsetu.
Když se to všechno vyhodí a offset se udělá od napájení, tak je na výstupu -2,3 mV/°C a odezvou se to chová suprově, hrana 30ns bez překmitů![Very Happy :D](./images/smilies/icon_biggrin.gif)
Stačí jeden dobrej jFET a rychlej bipolár, trochu míň šumivej.
Dej sem nějaký parametry těch hotovej detektorů a snímacích diod, ať se podívám, jak to optimalizovat.
https://www.gano-uv.com/vuv/class/
Při šumu jFETu 1nV/sqrHz z toho vyrobím 100nV se šumem 30nV/sqrHz, líp to prostě nejde.
Na kapacitách záleží a to hodně, jejich poměry přesouvají napěťové šumové zisky.
Všimni si, že to mám s 2SK170, 30pF Cgs a 10pF Cgd není pro 50pF diodu rozhodně optimální.
http://www.ebastlirna.cz/modules/Forums ... im_915.png
Zdroj proudu s jFETem je tam, aby bylo dobré PSR, šumí trochu více, jak odpor a je teplotně závislý. Jeho kapacita 10pF zatěžuje bootstrap a trochu to zhoršuje odezvu (stejně jako vstupní kapacita OZ).
Druhý jFET navíc tam dělá stejně teplotně závislý zdroj kompenzace offsetu.
Když se to všechno vyhodí a offset se udělá od napájení, tak je na výstupu -2,3 mV/°C a odezvou se to chová suprově, hrana 30ns bez překmitů
![Very Happy :D](./images/smilies/icon_biggrin.gif)
Stačí jeden dobrej jFET a rychlej bipolár, trochu míň šumivej.
Dej sem nějaký parametry těch hotovej detektorů a snímacích diod, ať se podívám, jak to optimalizovat.
https://www.gano-uv.com/vuv/class/
Tomu rozumím. ![Smile :-)](./images/smilies/icon_smile.gif)
K těm bipolárům, nevím jestli to bude nějaká výhra, ale snad by se dalo použít BFR92, MMBT6521 nebo MMBT5088... popřípadě THT MPSA18.
Co se týče diod, tak křemíkové používám:
S3590-09, https://www.hamamatsu.com/content/dam/h ... n1052e.pdf
S2744-09, https://www.hamamatsu.com/content/dam/h ... n1049e.pdf
U těch SiC, očekávám, že kapacita bude o řád nižší a dark current aspoň o 2 řády nižší...
PS: Čistil jsem si teď pár dní hlavu v Bílých Karpatech.![Smile :-)](./images/smilies/icon_smile.gif)
![Smile :-)](./images/smilies/icon_smile.gif)
K těm bipolárům, nevím jestli to bude nějaká výhra, ale snad by se dalo použít BFR92, MMBT6521 nebo MMBT5088... popřípadě THT MPSA18.
Co se týče diod, tak křemíkové používám:
S3590-09, https://www.hamamatsu.com/content/dam/h ... n1052e.pdf
S2744-09, https://www.hamamatsu.com/content/dam/h ... n1049e.pdf
U těch SiC, očekávám, že kapacita bude o řád nižší a dark current aspoň o 2 řády nižší...
PS: Čistil jsem si teď pár dní hlavu v Bílých Karpatech.
![Smile :-)](./images/smilies/icon_smile.gif)
Na nějakej bipolár připojenej na diodu (gate boosterapu) zapomeň.
Mě nepřipadá, že by měly SiC menší kapacity, Dark Current jo.
https://www.gano-uv.com/down/html/downl ... ABC-XL.pdf
Mě nepřipadá, že by měly SiC menší kapacity, Dark Current jo.
https://www.gano-uv.com/down/html/downl ... ABC-XL.pdf
U těch diod co jsi dal odkaz to vychází mizerně...
Já bych měl mít diodu tlustou s větší I vrstvou. Taky bych měl mít vysoké předpětí, takže vyprázdněná oblast bude doufám tlustá a kapacita nižší. Nevím, nemám teď čas udělat nějaké měření - honí mě na jiných projektech, toto je spíše btw, abych měl i něco zábavného a netahal jen tlusté pětižilové kabely.
Uvidím, musím udělat low power kousek do vakua pro Si diodu, tak k tomu přihodím tišťáček navíc a budu dělat pokusy se SiC. Hraní z elektrony je zábavnější, než s rychlými SiC VN mosfety které frituju v olejové vaně se zubovým čerpadlem - už jsem odpálil 6 kV 350 MHz sondu. Na druhou nemám prachy.![Confused :?](./images/smilies/icon_confused.gif)
Já bych měl mít diodu tlustou s větší I vrstvou. Taky bych měl mít vysoké předpětí, takže vyprázdněná oblast bude doufám tlustá a kapacita nižší. Nevím, nemám teď čas udělat nějaké měření - honí mě na jiných projektech, toto je spíše btw, abych měl i něco zábavného a netahal jen tlusté pětižilové kabely.
![Smile :-)](./images/smilies/icon_smile.gif)
Uvidím, musím udělat low power kousek do vakua pro Si diodu, tak k tomu přihodím tišťáček navíc a budu dělat pokusy se SiC. Hraní z elektrony je zábavnější, než s rychlými SiC VN mosfety které frituju v olejové vaně se zubovým čerpadlem - už jsem odpálil 6 kV 350 MHz sondu. Na druhou nemám prachy.
![Confused :?](./images/smilies/icon_confused.gif)
Šum je vyřešenej, nějakým dalším tapetováním se to už nezlepší.
Co je mizerný, odstup od napájení a dvojí napájení.
Čidlo-snímač se má napájet jedním napětím nevalné kvality, jelikož na cestě ledacos nachytá.
Na snímači by měla být dostatečná filtrace, nejlíp nějaký regulátor a vf filtrace na vstupu.
Taky jsem řešil aktivní stínění, pokud by byla kapacita diody (pouzdra) proti zemi větší, bootstrap nejde moc kapacitně zatěžovat, je to v podstatě emitorový sledovač a taky by jsi z toho mohl udělat Clappův oscilátor![Very Happy :D](./images/smilies/icon_biggrin.gif)
Co je mizerný, odstup od napájení a dvojí napájení.
Čidlo-snímač se má napájet jedním napětím nevalné kvality, jelikož na cestě ledacos nachytá.
Na snímači by měla být dostatečná filtrace, nejlíp nějaký regulátor a vf filtrace na vstupu.
Taky jsem řešil aktivní stínění, pokud by byla kapacita diody (pouzdra) proti zemi větší, bootstrap nejde moc kapacitně zatěžovat, je to v podstatě emitorový sledovač a taky by jsi z toho mohl udělat Clappův oscilátor
![Very Happy :D](./images/smilies/icon_biggrin.gif)
Napájet to budu přes RF stablíky - dva za sebou. Ten druhý bude z druhé strany tišťáku, takže těsně vedle zesilovače. První bude v externí krabici.
Zdroj pro bias má kolega prý velmi kvalitní a nějaká filtrace bude i u diody, dioda bude přímo na tišťáku. Paraziti budou minimalizováni.![Wink ;-)](./images/smilies/icon_wink.gif)
U Si diody to bude bez stabilizátoru vedle zesiku. Bootstrap i kapacitně zatíženy už jsem párkrát rozchodil, takže tam snad problem nebude.
Zdroj pro bias má kolega prý velmi kvalitní a nějaká filtrace bude i u diody, dioda bude přímo na tišťáku. Paraziti budou minimalizováni.
![Wink ;-)](./images/smilies/icon_wink.gif)
U Si diody to bude bez stabilizátoru vedle zesiku. Bootstrap i kapacitně zatíženy už jsem párkrát rozchodil, takže tam snad problem nebude.
Tak jsem se po dlouhé době dostal zpět k tomuto preampu.
Zatím první pokus: osadil jsem danhard bootstrap a nějak to neměří. Vypadá to, že zařízení funguje - když k tomu pustím trošku světla z klasické žárovky, tak ho detekuji - vidím skoro sinus 100 Hz. Pulzů ze smolince jsem viděl jen pár (možná to bylo jen rušení?) a byly dost pocuchané a pak se ztratili úplně. Zítra/pozítří osadím ještě jeden tišťák s danhard bootstrapem a jeden s čust bootstrapem a uvidím. Čust bootstrap je historicky ověřen, tak by měl fungovat. Možná jsem někde do zesílení dal jen špatný odpůrek a pulzy nevidím kvůli tomu že to nemá správný zisk.![Sad :-(](./images/smilies/icon_sad.gif)
Zatím první pokus: osadil jsem danhard bootstrap a nějak to neměří. Vypadá to, že zařízení funguje - když k tomu pustím trošku světla z klasické žárovky, tak ho detekuji - vidím skoro sinus 100 Hz. Pulzů ze smolince jsem viděl jen pár (možná to bylo jen rušení?) a byly dost pocuchané a pak se ztratili úplně. Zítra/pozítří osadím ještě jeden tišťák s danhard bootstrapem a jeden s čust bootstrapem a uvidím. Čust bootstrap je historicky ověřen, tak by měl fungovat. Možná jsem někde do zesílení dal jen špatný odpůrek a pulzy nevidím kvůli tomu že to nemá správný zisk.
![Sad :-(](./images/smilies/icon_sad.gif)