Stránka 8 z 8

Napsal: 29 led 2021, 13:56
od microlan
Hlavně tam musí být extra napájení pro vyšší potřebné napětí na gejtech

Napsal: 29 led 2021, 21:30
od danhard
Napájení buzení MOSFETů může být plovoucí, nebo řešeno bootstrapem.
Dělal jsem s tím průmyslové zesilovače, které byly ale taky dc, tam byl skutečně dc-dc měnič a s výstupem plavalo +/- 12V.
Byla tam větší spotřeba, potřeboval jsem na buzení až 0,5A a výkonově to chodilo přes 500kHz, resp. na 500kHz byl obdélník ješte obdélník.
Na audio stačí výkonově 50kHz a nikdo nemá co namítat, je tam asi 10x rezerva a minimálně 2x nad možnosti audio cesty (CD a jiné formy záznamu, přenosu).

Ale pokud tam bude na audio 1us vstupní filtr (160kHz) a 50kHz obdélník, tak to by ještě audiokonec mohl. Víc to trápit nemá rozhodně smysl.

Takový ty závody o co největší SR bez vstupního filtru jsou dokonale na hovno. Je to o tom jak se zesilovač dostává z lokálních limitací, nemá to vztah ke globální stabilitě, snad jen, že se dá tak ta nestabilita vydráždit.
Ovšem to pak musíte vědět, co čtete na osciloskopu a co to znamená.

Nedá se obecně říct, že tam nejsou tranzienty FSR nad 5kHz z harmonického rozvoje signálu, protože ten ukazuje nějakou střední hodnotu, ne okamžité maximum.

ps. Sinclair je skutečně machr, když toto umí a zná s pistolpáječkou a pár součástkama :lol:

Napsal: 30 led 2021, 09:11
od JMD
Tu je ten nMOSFET omyl z Diyaudio fóra od člena Quasi
https://sites.google.com/site/quasisdiy ... bip-series

Napsal: 30 led 2021, 11:14
od danhard
Ty mosfety se dají budit i bez zvyšování napájení buzení, ale je to celkem zbytečná ztráta v konci, asi 5V od napájení proti bipoláru.

Napsal: 20 úno 2021, 19:39
od danhard
JMD píše:Mne sa to tiež osvedčilo s priečnym Rbe v DPA222mkII.
Tam bude vliv malý, protože je to 3EF a neprojevuje se tam tolik zatížení VAS.