[BETA] Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Myslím, že takovej IRFZ44 se dostatečně otevře i při 5V a ztrátovej výkon na něm bude minimální. Pokud tam ovšem nemáš 230V

když použiješ IRL 2203 nebo 3803, ty jsou pro buzení 5V

Objevil jsem jsem v GM Electronic N-MOSFET pod ozančením IRLZ34N. Je to logic-level gate drive, 30A, 55V, 68W a nestojí tolik jako IRL 3803. Ten bude pro mě ideální.
Díky všem za odpovědi.

To Mikollar: Myslim si, ze schema na predchozi strane nebude moc dobre fungovat, protoze R1 tvori zapornou zpetnou vazbu pro T1 a brani tak jeho uplnemu otevreni. Na miste T1 by bylo asi lepsi pouzit tranzistor PNP pripojeny emitorem na napajeci napeti. Do baze bych zapojil odpor v serii se zenerkou na asi 7V, aby pri 5V na vstupu se T1 nesepnul. Pokud na vstupu bude 0V, sepne se T1 a ubytek na R1 sepne MOSFET.

Tolik teorie kolem jednoho FEtu, a ještě v tomhle horku....

MOSFET je ideálny pre takúto aplikáciu. Má veľmi malý odpor v zopnutom stave a impulzne zvládne vysoké prúdy, ktoré vznikajú pri spínaní žiaroviek. Ako budič MOSFETU použi CMOS 4049. Bežne som takto spínal žiarovky procesorom.

Anonym píše:To Mikollar: Myslim si, ze schema na predchozi strane nebude moc dobre fungovat, protoze R1 tvori zapornou zpetnou vazbu pro T1 a brani tak jeho uplnemu otevreni. Na miste T1 by bylo asi lepsi pouzit tranzistor PNP pripojeny emitorem na napajeci napeti. Do baze bych zapojil odpor v serii se zenerkou na asi 7V, aby pri 5V na vstupu se T1 nesepnul. Pokud na vstupu bude 0V, sepne se T1 a ubytek na R1 sepne MOSFET.

Øekl bych, že tohle je blbost. V pøi zavøeném tranzistoru to bude stejné, protože to dìlá ten odpor, a pøi otevøeném tranzistoru je to lepší podle toho obrázku s NPN tranzistorem. Ten se sepne líp. Možná bych mu pro jistotu dal odpor do báze, ale asi je to zbyteènej pøepych. Jinak super zapojení.

To Pitr: T1 na obrazku co nakreslil Mikolar se nemuze sepnout lip, protoze ubytek na odporu R1 se odecita od vstupniho napeti a snizuje tak napeti mezi B a E T1, cimz brani jeho uplnemu otevreni. Netvrdim, ze to nebude vubec fungovat, asi to nejak fungovat bude, ale pro co nejlepsi sepnuti FET-u je nutne co nejvetsi budici napeti mezi jeho G a S. V pripade zapojeni, ktere jsem popsal s pouzitim PNP na miste T1 bude pri jeho sepnuti ubytek na R1 (= budici napeti FET-u) temer celych 12V zmensene o saturacni napeti T1. V pripade jak je to nakresleno na schematu tam bude necelych 5V (= vstupni napeti 5V - ubytek na prechodu B-E T1).

Anonym píše:To Pitr: T1 na obrazku co nakreslil Mikolar se nemuze sepnout lip, protoze ubytek na odporu R1 se odecita od vstupniho napeti a snizuje tak napeti mezi B a E T1, cimz brani jeho uplnemu otevreni. Netvrdim, ze to nebude vubec fungovat, asi to nejak fungovat bude, ale pro co nejlepsi sepnuti FET-u je nutne co nejvetsi budici napeti mezi jeho G a S. V pripade zapojeni, ktere jsem popsal s pouzitim PNP na miste T1 bude pri jeho sepnuti ubytek na R1 (= budici napeti FET-u) temer celych 12V zmensene o saturacni napeti T1. V pripade jak je to nakresleno na schematu tam bude necelych 5V (= vstupni napeti 5V - ubytek na prechodu B-E T1).

Skuteènì tam bude jen asi 4,3V, jenže se pøedpokládá, že ten MOS-FET je na takové napìtí, takže to není problém. Ale tìch 4,3V to sepne krásnì. Kdyby na møížce bylo napìtí menší, otevøe se T1 a hned to dorovná. A žádnej odpor mu v tom nezabrání. A otevøe se opravdu hodnì, na maximum. V tom tvém zapojení máš s otevøením na maximum vìtší problém, protože bys potøeboval velikej proud do báze. A musel bys ho tam pouštìt poøád, což samozøejmì neudìláš, takže se ti otevøe míò. A když to udìláš, budeš mít zase jiný problémy (teplo, ...). Takže, pokud je dostupný FET na 4,3V, je ten NPN tranzistor lepší.

To Pitr: Podle katalogoveho listu muze byt prahove napeti BUZ10 az 4V. Nejsem si tedy jisty, jestli 4.3V mezi jeho G a S bude stacit k jeho uplnemu sepnuti a rizeni zateze 40W tak, aby se moc nehral a mohl fungovat jen s nejakym malym chladicem. Vykonova ztrata v tomto pripade bude dost velka, rozhodne vetsi, nez v zapojeni, co jsem popsal. Dal mi neni jasne, co myslis tim velkym vstupnim proudem. Ten prece zalezi na velikosti R1 a proudovem zesileni T1 a bude v obou pripadech zhruba stejny (za predpokladu stejneho napeti na R1).

Podle pøíspìvkù výše jsem mìl dojem, že FET je vybrán a je ideální ho spínat cca 5V. V katalogových listech jsem nehledal. Já myslel, že ti jde o to, že ten tranzistor se málo otevøe, kvùli tomu odporu. Jestli ti jde o to, že chceš zvýšit napìtí na møížce, tak to dává smysl, ale z toho pøíspìvku se to pochopit fakt nedá. Tranzistor T1 je prostì zapojen se spol. kolektorem, takže se "úplnì otevøít" (asi jsi to myslel tak, aby bylo UCE=0) nedá a ani to nedává dobrej smysl. A nìjakej odpor za to fakt nemùže.

To jsem rad, ze jsme si to vyjasnili. Ja jsem chtel jen upravit zverejnene zapojeni, ve kterem neni mozne nastavit vstupni napeti FET-u vyse nez na 4.3V, cimz by se pouzity FET nemusel ani poradne sepnout. Po uprave popsane v mem prvnim prispevku lze toto vstupni napeti zvysit az na cca 11.5V.

Mohl bych se zeptat jaký použít fet pro spínání odporové zátěže 40W na 3,5V?

Zkoušel jsem to v simulátoru a některé se neotevřeli vůbec a některé se otevřou jen trochu.
Jediný s kterým mi to v simulátoru funguje je nějaký IRLR3705Z. Ale než něco objednám, tak se raději zeptám. Přece jen je to jen simulátor a realita může bejt jiná.

Děkuji

Vidím, že např. GM mají IRF3706, ten by mohl být i trochu lepší

Na to nejde zas tak jednoduše odpovědět, ale bude to práce spíš pro bipolární tranzistor.

Místo 40W raději napiš proud a napětí, stejně tak max. povolený proud toho budícího napětí 3.5V a požadovanou rychlost spínání.