[BETA] Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Ale každá jiným, ne?

Záleží na charakteru zátěže.

ale jo, to mate pravdu s tim pul sinusem, to uznavam. Ten sinus jsem uvadel spis pro zobecneni. Pulsinus bych si uz dopocital.

Já bych asi kouknul do datasheetu a pokud tam není výslovně nic napsáno o nějakých špičkách a jejich délce, tak bych to Ic vzal jako maximální hodnotu, aby to přes ní vůbec nevylezlo. On už na ní bude mít ten tranzistor mizerné zesílení, tak stejně není moc důvod ji přesahovat.

Kdybych to ale jó chtěl využít, tak bych to udělal tak, aby ani efektivní ani střední hodnota nepřesáhla hodnotu v datasheetu. A mám dojem, že ta efektivní je vždy větší (teď si ale nějak nejsem úplně jistý), tak bych se řídil podle ní.

alvr << nemůžete to brát jako jednoduchý přepočet na RMS. Jde o nelineární prvek. Pokud bychom si to trochu zjednodušili, a V-A charakteristiku v sepnutém stavu nahradili lomenou přímkou a uvažovali spínací režim, tak tranzistor má nějaké saturační napětí - tento typicky 1,85V a dále nějaký dynamický odpor v sepnutém stavu - 15 miliohmů. Pak se výkon na tranzistoru skládá ze dvou částí, a to ze ztrátového výkonu ss složky proudu a ze ztrátového výkonu efektivní složky proudu. Pro daný typ:

Ptot = Uces . Iss + Rce . Ieff^2 = 1,85V . Iss + 0,015ohm . Ieff^2

Na webu Semikronu jsem našel program Semisel a tam se dají nějaké konkrétní simulace a výpočty na toto zatížení přímo provést. Ještě jsem to neměl příležitost v klidu otestovat,ale nějaký užitek by to mohlo přinést..