Jaké napětí na Gate?

Zpráva

HiGhLaNdEr · #16 Příspěvek od **HiGhLaNdEr** » 30 dub 2016, 23:55

To bude nějaký budoucí vedoucí pracovník,...

gepard · #17 Příspěvek od **gepard** » 01 kvě 2016, 00:09

paycz píše:takže vážení 'odborníci' asi po dvouch hodinách počítání jsem přišel na vzorec jak vypočítat napětí na GATE .....
Ug=Rds*Id

... na "Čáry" dobrá provokace! Vyblil jsi pěknou hovadinu!

Kvicala_r · #18 Příspěvek od **Kvicala_r** » 01 kvě 2016, 00:37

Nechte mladyho blbnout, alespon mu sedi jednotky

Olchor · #19 Příspěvek od **Olchor** » 01 kvě 2016, 08:38

Takže znovu - závislost Id na Ugs není lineární a lze ji velmi zhruba vyčíst z grafů v datash. V praxi je to ale skoro k ničemu, protože rozptyl parametrů a jejich závislost na dalších věcech - jako je např. teplota- je příliš velká. Takže je do zapojení nutné zavést zápornou zpětnou vazbu, která pracovní bod stabilizuje. Termistor moc nepomůže.

misocko · #20 Příspěvek od **misocko** » 01 kvě 2016, 13:03

termistor nepomoze, ale on tam ide dat thermitor a ten tam bude OK

#21 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 01 kvě 2016, 19:31

Na "thermitoru" už mimochodem vyhořelo pár "návrhářů" koncáků s MOSFETY, protože jejich teplotní závislosti jsou - na rozdíl od bipolárů - "poněkud jiné"...

Duvsan · #22 Příspěvek od **Duvsan** » 04 kvě 2016, 01:09

Využijem vlákno. Bipoláry poznám vcelku dobre, s mosfetmi som sa akosi neskamošil. Nedávno, pred pár dňami, som navrhoval jednoduchú prerábku, štyri trandy vo funkcii spínačov a zopár odporov. Zvládol som to, ale pripadalo mi, že fety by vyhoveli lepšie. Mám otázku a prosbu. Otázka, čo sa stane, ak prekročím datalistom uvedené dovolené UG a prosba, ak by ste navrhli alternatívy k napätiam tak do 50V a prúdy pod 100mA, čiže za bipoláry ako BC945, BC557 a spol, a v oboch vodivostiach. Vopred dík.

#23 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 04 kvě 2016, 01:23

No, na tohle si raději otevři nové vlákno, pošli schema atd.

Na otázku, co se stane při překročení Ug je jednoduchá odpověď - prostě se ten přechod prorazí. Běžný fety zvládají 20V, některý i 30V.

Duvsan · #24 Příspěvek od **Duvsan** » 04 kvě 2016, 02:05

U MOSFETu, keď je G cez odpor tak 47k? To mi pri bipolároch pripadá asi ako NiCD vs LiIon. Prvé nezmary a druhé fajnovky.

Zakladať vlákno nepovažujem za potrebné, skrížil som dve LCD a prerábal som lokálku, nie je podstatné. Chcel som univerzálne náhrady pre účely spínačov.

#25 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 04 kvě 2016, 02:15

Jak myslíš, je to Tvoje volba.

Ale jen tak bokem, gate se chová jako kapacita. Když budeš nabíjet kondík na 16V z 30V zdroje přes velkej odpor, tak vybuchne až po čase, ale určitě to nepřežije.

gepard · #26 Příspěvek od **gepard** » 04 kvě 2016, 04:50

ZdenekHQ píše:... gate se chová jako kapacita ...

... hodnoty v řádu jednotek pF až desítek nF (dle typu trandu, údaj Ciss). Jest tak?

#27 Příspěvek od **forbidden** » 04 kvě 2016, 09:21

Není, to je rozšířená chyba. Ciss není kapacita přechodu G-S. Kapacitu zjistíš přepočtem z hodnoty Qg pro daný napětí na gate.

Duvsan · #28 Příspěvek od **Duvsan** » 04 kvě 2016, 10:37

Takže keď chcem spínať MOSom, napätie pre Gate musím viesť zo stabilizátora?

#29 Příspěvek od **forbidden** » 04 kvě 2016, 10:41

Ne, jen musíš zajistit, že napětí nepřekmitne povolenou hodnotu. Stačí zenerka, transil...

Habesan · #30 Příspěvek od **Habesan** » 04 kvě 2016, 17:10

Duvsan píše:keď je G cez odpor tak 47k?

To je taky pěkná prasárna.