[BETA] Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Zjednodušené modely tranzistorů pro řešení obvodů na úrovni učňáku jsou fajn, ale my se tu s tomasjedno bavíme právě o těch fyzikálních principech.

No, já myslím, že se skorospoříme ne o fyzikálních principech, ani o vnější obvodařině, ale o interfejsu mezi tou fyzikou uvnitř a dráty venku.
Lesaně přijde důležitější, že až po vrstvu řídítonáboj jsou BT a FET podobné, zatímco mně zase přijde (zde, na eb) důležitější vrstva jaktamtennábojuděláme, tu totiž už bastlíř vidí.

Edit: možná by do toho vneslo trochu jasno, kdyby tu někdo uvedl, u které že elektronické součástky nedochází k žádnému řízení nábojem...

Hmm, tak jo, tak já se jdu zase dloubat v něčem jiným (třeba v nose).

No, opět se ztrapním, když, tak mě opravte.
BT, např NPN KC507, výklad pro učně:
Přechod BE je v propustném směru, KB v závěrném.
Přechod BE je velmi úzký. Samotná vrstva P je velmi úzká. Vrstva N emitoru je značně dotovaná pětimocnými nečistotami, daleko více než vrstva P báze třímocnými nečistotami. Emitor emituje velké množství elektronů (prooud emitoru), více než stačí báze odsát (proud báze). Zbytek elektronů odsává kladné kolektorové napětí do prostoru kolektoru (proud kolektoru). Zatímco se na přechodu BE uplatňuje prahové napětí PN přechodu závislé na polovodiči (křemík cca 0,7V, germanium cca 0,2V), na závěrném přechodu KB se princip překonání prahového napětí neuplatňuje a tutíž je saturační napětí závislé na velikosti kolektorového proudu a pohybuje se od desetiny voltu po volty.
Vztah náboje a proudu - proud je pohyb el. nabitých částic (nábojů).

Unipolární tranzistor:

Na podložce je emitor (S jako source) a kolektor (D jako drein). Oba jsou buď N nebo P.
1) S vodivým kanálem, např. pro N
S a D jsou spojeny vodivým kanálkem, vše na polovodiči tupu P. Nad kanálkem je ostrůvek stejného typu polovodiče (N) oddělený izolantem a nazývaný gate G. Bez přepětí na G teče mezi D (+) a S(-) proud. Po přivedení opačného přepětí na G (-), záporný náboj na G začíná omezovat průtok elektronů vodivým kanálkem (zahradník přišlápl hadici). Čím vyšší záporné napětí na G, tím menší proud DS.
2) S indukovaným kanálem, např. pro N
S a D jsou izolované ostrůvky typu N na polovodiči typu P. Mezi nimi chybí kanálek. Nad chybějícím kanálkem je opět ostrůvek stejného typu polovodiče (N) oddělený izolantem a nazývaný gate G. Bez přepětí na G neteče mezi D (+) a S(-) proud. Po přivedení kladného přepětí na G (+), kladný náboj na G začíná přitahovat z podkladové vrstvy P elektrony, začíná se indukovat vodivý kanálek. Čím vyšší kladné napětí na G, tím větší proud DS.
3) Jfet
Destička s nevlastní vodivostí N má na jednom konci S, na druhém D.
Na bočních stranách destičky (analogie se škrtacími plochami krabičky od sirek) jsou difuzí naneseny vrstvy s nevlastní vodivostí P - představují gate G. Po přivedení opačného přepětí na G (-), záporný náboj na G začíná omezovat průtok elektronů vodivým kanálkem (zahradník přišlápl hadici). Čím vyšší záporné napětí na G, tím menší proud DS.
U MOS jsou skutečně proudy řízeny nábojem na gate.

V praxi jsou struktury unipolárních tranzistorů pestřejší a složitější. Zde je velmi zjednodušený pokus o výklad.

tomasjedno píše:Edit: možná by do toho vneslo trochu jasno, kdyby tu někdo uvedl, u které že elektronické součástky nedochází k žádnému řízení nábojem...

No, tak nějaký náboj bude všude, jinak by to nebyly ELEKTROnické prvky, že. Otázkou je, kde je hranice mezi řízením a vyvolanou reakcí. Třeba u fototranzistoru bych řek', že je řízení beznábojové. Ale někdo určitě namítne, že se světlem dostane do oblasti přechodu B-C náboj minoritních nosičů a jsme tam kde jsme byli.

Pohybující se náboj je proud.
Nenechte se zviklat a stojte si za zjednodušenými modely na úrovni učňáku