Jaké napětí na Gate?

Zpráva

Duvsan · #46 Příspěvek od **Duvsan** » 05 kvě 2016, 23:42

Takže po prekročení "prahovej" oblasti je už odozva lineárna. Medzi saturáciou a prierazom je ako ďaleko? Je potrebné to napätie striktne strážiť, alebo je tam veľká rezerva?

#47 Příspěvek od **EKKAR** » 05 kvě 2016, 23:48

Jseš slepej, blbej - anebo se jen tak děláš? Píšu jasně - LIŠÍ SE PODLE TECHNOLOGIE VÝROBY. Dohledej si to v datašitech, když tak mocí mermo chceš konkrétní hodnoty.

Duvsan · #48 Příspěvek od **Duvsan** » 05 kvě 2016, 23:56

To som si čím zaslúžil? Tá "rezerva" je u niektorých veľká a u niektorých žiadna?

Promiň, že se ptám tak blbě.

#49 Příspěvek od **EKKAR** » 06 kvě 2016, 00:02

A próč a ják a na có... Běž si hrát na písek s kyblíčkem a lopatičkou - uděláš líp. Pokud nejseš ochotnej akceptovat fakt, že si tyhle věci musíš dohledat sám u každýho konkrétního typu v jeho datašitu, pak nemá cenu se dál s tebou bavit.

#50 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 06 kvě 2016, 00:17

Duvsan píše:Medzi saturáciou a prierazom je ako ďaleko?

Máš rezervu asi 50%

Většinou je kolem 10V tranzistor naplno otevřenej, nad 20V riskuješ průraz.

Ale zapomeň u fetu na nějakou lineární oblast, ta součástka se prostě chová jinak, i když při měření se tváří jako proměnný odpor. Ale zkus ho ohřát horkovzduchem...

Stejně tak můžeš FET zničit, když kapacitu gate namáháš příliš velkým proudem, aby jsi ho co nejrychleji otevřel či zavřel, skončí to stejně, jako při překročení povoleného Ugs.

Doufám, že jsem to napsal dost jednoduše na pochopení, ale ne zase tak moc jednoduše, abych dostal vynadaný.

gepard · #51 Příspěvek od **gepard** » 06 kvě 2016, 00:35

Vgs/Vds - MOSFET - zase záleží na daném typu tranzistoru, na technologii výroby. Pokaždé bude křivka jiná (nahrubo řečeno podobná) - nelze srovnávat např. 2N7000 a IRFZ44. Je to jako srovnávat BC547 a KD503 ...

Duvsan · #52 Příspěvek od **Duvsan** » 06 kvě 2016, 00:48

Ďakujem, to mi pomohlo. Pre orientáciu stačí. Zišli by sa mi náhrady za BC547 + napr. BC557. Používam, čo nájdem na vrakoch, pre účely spínačov neriešim (ak zvládnu napätie, prúd a majú dostatočné zosilnenie - väčšinou áno), len mi napadlo, že by mohlo stáť za pokus s tými MOSmi.

ZdenekHQ píše:Ale zapomeň u fetu na nějakou lineární oblast, ...

Takže do zosíku je lepší bipolár?

#53 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 06 kvě 2016, 00:54

Ještě tam chybí teplotní závislost...

Nakonec každej si to může vyzkoušet - ohřejte mikropájkou nějakou obyčejnou rychlou diodu z PC zdroje (dobře je to poznat u schottky) a měřte diodovým testem úbytek na přechodu. Ten FET se chová podobně. Bez zpětné vazby nemůže být o linearitě ani řeč.

#54 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 06 kvě 2016, 00:58

Duvsan píše:...Takže do zosíku je lepší bipolár?

To je otázka spíš pro Sendyho či danharda. Oni ví dobře, jaká je to legrace donutit FETy, aby byly lineární a stabilní. Většinou je to za cenu obrovskýho klidovýho proudu, ale nechci jim mluvit do řemesla.

Duvsan · #55 Příspěvek od **Duvsan** » 06 kvě 2016, 01:02

Prímer ku Schottkyho dióde na margo tepelnej závislosti, čo si uviedol, to platí i pre MOSy s oddeleným kanálom vrstvou oxidu (žiadny PN prechod)?

#56 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 06 kvě 2016, 01:19

Tak tady jsi mě dostal (doufám, že myslíš něco jako KF521), v tomto případě budou (samozřejmě při splnění jistých okrajových podmínek) opravdu lineární. Jinak by se nepoužívaly v anténních zesilovačích, vstupech osciloskopů atd.

Ale pro Tvůj účel jsem to vůbec nepředpokládal, sem se to nehodí.

Duvsan · #57 Příspěvek od **Duvsan** » 06 kvě 2016, 01:28

Prepáč, o chovaní FETov fakt veľa neviem. Ďakujem za pomoc, zvyšok si nechám na samoštúdium. Ešte keby si mi predostrel vhodné tipy, čo som sa pýtal.

Neuraz sa, len pre istotu. Riešili sme MOSy, alebo niečo iné, JFETy a tak? MOS = Metal Oxide Semiconductor.

#58 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 06 kvě 2016, 01:54

Já už se urazit ani nedokážu. Mám příliš tvrdou školu.

JFETY jsme vůbec neřešili, MOSFEtů je spousta typů. Každej má svoje výhody a nevýhody.

Polož prosím svoji otázku znovu, s přihlédnutím k tomu, co už víš.

Duvsan · #59 Příspěvek od **Duvsan** » 06 kvě 2016, 02:06

Práve som pozrel niečo o tom na elweb.cz. Uvažujem, v čom je ktorý lepší a v čom horší. MOSy vraj sú teplotne stabilnejšie ako bipoláry.
Uzavrime to, aspoň nateraz. Poraď mi prosím ešte vhodné tipy, ako som sa pýtal. Napätie tak 5-15V, radšej uvažujme UDS aspoň do 30V, prúdy D-S do 100mA, ale prevažne pod 10mA, rýchlosť nie je dôležitá.

BTW, ako sú na tom oproti bipolárom s úrovňou šumu? To len na okraj.

#60 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 06 kvě 2016, 02:20

Ve spínacím režimu jsou většinou lepší, než bipoláry. Slovo stabilnější bych raději nepoužíval. Ještě relativně nedávno neexistoval FET, co by vydržel v některých aplikacích to, co bipolár. A nakonec to vyřešily IGBT tranzistory.

Ale na ten zbytek nedokážu bez schematu odpovědět.