Zákaznické značení výkon. tranzistorů
Moderátor: Moderátoři
Mě se líp měří Cce. Asi mám moc vysoký napětí, který už otvírá přechod. Ale Cce mě funguje perfektněA podle kapacity Ccb také.
KD50X 900 pF
KD605 600 pF
KDY25 400 pF (HADEX 605ky)
KU612 110 pF
Měřeno LCR metrem od EXTECHu při 10 kHz. Že je s plochou spojený i průběh β dle proudu mě nenapadlo, ale otestuju
Na uložto jsem dal soubory TeslaGe76 a TeslaSi77, konstrukční katalogy.
Odkaz jsem si nezapamatoval, dal jsem to veřejně a najít to tam nemůžu
Ale od někoho jiného to tam je.
https://uloz.to/!W5KAjcB4vl8p/konstrukc ... roznov-pdf
https://uloz.to/!wDkLfDBAaFxJ/konstrukc ... roznov-pdf
Odkaz jsem si nezapamatoval, dal jsem to veřejně a najít to tam nemůžu
Ale od někoho jiného to tam je.
https://uloz.to/!W5KAjcB4vl8p/konstrukc ... roznov-pdf
https://uloz.to/!wDkLfDBAaFxJ/konstrukc ... roznov-pdf
Vašku díky.
Je zajímavé sledovat, jak se v průběhu dalších let parametry mnohých tranzistorů "zlepšovaly"
Třeba KD602 tu má Ft=0,5MHz, o několik let později už běžně uváděn s 1MHz a úplně nejpozději měl Ft=2MHz
U KD601 je to skoro opačně. Ten byl původně avizován počátkem 70.let s Ft=10MHz, lidi jako Kyrš & spol. na těch 10MHz byli dost natěšení, ale později se zrovna u tohoto typu s Ft dost "čarovalo".
Podobně, jako se postupně ustupovalo od formulací u KU601-602, kam jsou vhodné a sousloví "koncové stupně" postupně mizelo
Viz RK1/75, ten úvodní Kyršův článek je minimálně po stránce teorie poměrně hodnotný. Myslím, že nahradit tu 709 něčím o dost lepším, nehrálo by to s opravdu rychlými tranzistory špatně. Ono to určitě hrálo dobře i tak, soudě podle fotek z osciloskopu.
Tady v tomto Si konstrukčním katalogu už je to šalamounsky vyjádřeno tak, že při kmitočtu 10MHz tranzistor KD601 ještě nezeslabuje, jen má h21e=1.
Nikde jsem za celou dobu výroby nenašel, co bylo vzorem pro návrh KD601, KD602 a co pro KU601/KU602.
U KD605/615 až KD607/617 se už v 80.letech tolik netajilo, že to byly 2N4906 až 2N4915, stejně jako to byly 2N5301-2N5303 u KD501-KD503.
Že by přece jen nějaký vlastní vývoj, u těch nejstarších KD a KU?
Každopádně moc díky Vašku hlavně za ten bambusákový, ten mi dost chyběl. Mám okolo bambusáků jen Béma I. a tam jsou taková kvanta chyb /špatně nasazený charakteristiky na rastry apod./, že ta bible za ty peníze ani nestála. A to mám II. vydání, které teoreticky už mělo být opravené. Srali na to, jako ostatně na všecko..
Je zajímavé sledovat, jak se v průběhu dalších let parametry mnohých tranzistorů "zlepšovaly"
Třeba KD602 tu má Ft=0,5MHz, o několik let později už běžně uváděn s 1MHz a úplně nejpozději měl Ft=2MHz
U KD601 je to skoro opačně. Ten byl původně avizován počátkem 70.let s Ft=10MHz, lidi jako Kyrš & spol. na těch 10MHz byli dost natěšení, ale později se zrovna u tohoto typu s Ft dost "čarovalo".
Podobně, jako se postupně ustupovalo od formulací u KU601-602, kam jsou vhodné a sousloví "koncové stupně" postupně mizelo
Viz RK1/75, ten úvodní Kyršův článek je minimálně po stránce teorie poměrně hodnotný. Myslím, že nahradit tu 709 něčím o dost lepším, nehrálo by to s opravdu rychlými tranzistory špatně. Ono to určitě hrálo dobře i tak, soudě podle fotek z osciloskopu.
Tady v tomto Si konstrukčním katalogu už je to šalamounsky vyjádřeno tak, že při kmitočtu 10MHz tranzistor KD601 ještě nezeslabuje, jen má h21e=1.
Nikde jsem za celou dobu výroby nenašel, co bylo vzorem pro návrh KD601, KD602 a co pro KU601/KU602.
U KD605/615 až KD607/617 se už v 80.letech tolik netajilo, že to byly 2N4906 až 2N4915, stejně jako to byly 2N5301-2N5303 u KD501-KD503.
Že by přece jen nějaký vlastní vývoj, u těch nejstarších KD a KU?
Každopádně moc díky Vašku hlavně za ten bambusákový, ten mi dost chyběl. Mám okolo bambusáků jen Béma I. a tam jsou taková kvanta chyb /špatně nasazený charakteristiky na rastry apod./, že ta bible za ty peníze ani nestála. A to mám II. vydání, které teoreticky už mělo být opravené. Srali na to, jako ostatně na všecko..
2N4906 až 2N4915 jsou sice uvedený v katalogu jako náhrada, ale jsou to tranzistory mnohem slabší než KD607, 617.
"KDY25 400 pF (HADEX 605ky)"
KDY25 je ještě menší, než ten chip v novejších KD605 a vypadá jako stará KU601 ale si upečená novější technologií.
Neviděl jsem ale uvnitř ještě KD3055 a KDY56.
"KDY25 400 pF (HADEX 605ky)"
KDY25 je ještě menší, než ten chip v novejších KD605 a vypadá jako stará KU601
ale si upečená novější technologií.Neviděl jsem ale uvnitř ještě KD3055 a KDY56.
Ten příměr s KDY25 jsem si půjčil od Tebe. Podle těch obrázků je to ale jasné, že to tak není. KDY56 mám, tak je alespoň změřím. A pokud najdu nějaký hodně mizerný, tak mu i smeknu klobók.
//I když,... je už dost indicií, že by ty KD605 mohly být převlečené KDY56 (vysoké Uceo, průměrná β, podobná velikost čipu?) tak by byl nahrazen stádem HADEX605ek. Zítra ho otevřu.
//I když,... je už dost indicií, že by ty KD605 mohly být převlečené KDY56 (vysoké Uceo, průměrná β, podobná velikost čipu?) tak by byl nahrazen stádem HADEX605ek. Zítra ho otevřu.
Naposledy upravil(a) microlan dne 11 dub 2019, 21:59, celkem upraveno 1 x.
Takže moje věštící schopnosti se limitně blíží k nule. Změřil jsem KDY56 rv. 86. Beta mizerná, 28/1A a 20/5A.
kapacita Cce 750 pF
velikost čipu 4,5 x 4,5
A o 10 MHz si to asi může nechat jen zdát. na následujících obrázcích je test na 50 kHz Ic= 50 mA jako nejrychlejší se mi jeví poctivá KD605 z roku 86. Také jsem přiložil fotku čipu KDY56
kapacita Cce 750 pF
velikost čipu 4,5 x 4,5
A o 10 MHz si to asi může nechat jen zdát. na následujících obrázcích je test na 50 kHz Ic= 50 mA jako nejrychlejší se mi jeví poctivá KD605 z roku 86. Také jsem přiložil fotku čipu KDY56
- Přílohy
-
-
-
-
Topologií stará dobrá KD607, jediný co s tím můžou dělat jinak je, že to jinak upečou
Poslední metalizací vidíš akorát topologii, velikost a využití chipu.
Na tom samozřejmě záleží ztrátový výkon a max. proud a proudové chování, protože proudové a tepelné hustoty jsou na tom přímo závislé.
Jaké jsou tlouštky přechodů a jaké jsou gradienty dotací záleží už na tom, jak to upečou.
Tady je zase vazba, že velká napětová výdrž zhoršuje proudové zesílení.
Jinak, to co měříš, je zřejmě chování v saturaci, to nemá s ft moc společného.
To ovlivňuje odpor báze a kapacita Cbe a napěťově násobení Cbc.
Poslední metalizací vidíš akorát topologii, velikost a využití chipu.
Na tom samozřejmě záleží ztrátový výkon a max. proud a proudové chování, protože proudové a tepelné hustoty jsou na tom přímo závislé.
Jaké jsou tlouštky přechodů a jaké jsou gradienty dotací záleží už na tom, jak to upečou.
Tady je zase vazba, že velká napětová výdrž zhoršuje proudové zesílení.
Jinak, to co měříš, je zřejmě chování v saturaci, to nemá s ft moc společného.
To ovlivňuje odpor báze a kapacita Cbe a napěťově násobení Cbc.