[BETA] Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Nelinearita se s příčným proudem konců posouvá mimo nulu, takže třeba při 200mA proudu konce nebude do 100mW na výstupu přechodové zkreslení.
Taky to tak nasimuloval JMD a nic jiného nenaměříte ani s vymazlenou BM543, ani s mojí starou HP334A.
Neznamená to, že by tam to zkreslení nebylo, to poznáte na intermodulaci při větším výkonu a ty jednoduché měřáky neumí.

Ale když k tomu 1V/1kHz přimícháte 3V/400Hz, tak to vyrobí takovej pěknej mix
A když to srovnáte s malou úpravou od Baxandalla za stejných podmínek, tak zjistíte, že na tom hnidopišení něco je.

danhard píše:Než tady začnu kapitolu o omylech při měření zkreslení, tak bych se chtěl zeptat JMD, jestli je to pro něj přínosné, i když změnu k lepšímu nenaměřil a sluchově to nepoznal ?
Ono totiž při silné zpětné vazbě se konec může dost srovnat a zvukový charakter se přesune více na frontend.

Bylo by mozne ten pojem frontend trosku dovysvetlit , slysim to prvne v souvislosti se zavazbenim zesiku.

Moc diky[/i]

A jéje, tady si někdo asi plete zavazbení a NFB

pojem "zavazbeni" tj zavedeni zaporne zp vazby pouzival pred lety uz dr. Sykora , tak jsem to tak nejak prevzal. : ))

Front-End, přední konec, vstupní zesilovač.

aa jasne, ze me to netrklo , inu blbec : ))

Moc diky

Prostě začátek konce.

Přidám sem výsledky linearit s Baxandallovou úpravou, aby bylo co srovnávat.
Je to zase pro proudy 5, 25, 50, 100, 200mA.
Derivace výstupního napětí, vstupního proudu a výstupního napětí s 10k odporem ve vstupu.

Udělal jsem i serii modelací komplementárního konce.
Výsledky jsou jen o málo horší, než kvazikomplu od Baxandalla

Komplementár s budičema?

Ten stejnej materiál, ale komplementární konce.
Protože PNP křemík má horší průběh zesílení na proudu než NPN, tak je to o něco horší, než když jsou tam dva stejné NPN.

Prosím pekne, ako by to bolo s výkonnými N-MOSFET?

Ospravedlňujem sa za odmlčanie, mám veľa práce. Ale Ďakujem za taký pekný rozbor. Prekvapením je dotiahnutie sa linearitou v tejto oblasti prechodu ku komplementáru. Saturačné oblasti budú naďalej odlišné.

Na MOSFETy bych preferoval zapojení určené pro ně, ne úpravu zapojení s BJT.
U komplementáru léta preferuji úpravu, kdy je Rbe odpor zapojený jen mezi bázemi konců.
Zmizí problémy se vstupním proudem a to i při malém příčném klidovém proudu.

Mne sa to tiež osvedčilo s priečnym Rbe v DPA222mkII. Aj osciloskopom som zistil zlepšenie, aj keď tie pôvodné prejavy nelinearit boli nepatrné. Hoci tie viacej súviseli s dynamickými vlastnosťami tranzistorov a ich zapojenia.

Ako by mohla vyzerať taká úprava pre MOSFET, okrem zložitého EC? Na Diyaudio niekto použil práve len túto kombináciu RD, ale bez analýzy príčin a dôsledkov takéhoto doplnku.