[BETA] Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Mám jeden velice hloupý dotaz, protože jsem zhnilý si to vyzkoušet. Co se stane s MOSFETEM, když přepóluju Drain a Source u NMOSFETu a u PMOSFETu? Ptám se proto, že když např. vytvořím N kanál pomocí napětí na Gate, tak spojím obě elektrody Drain i Source. A teď mi není jasné, čím je daný směr protékání proudu.

Mám za to že když ho přepoluješ tak bude normálně pracovat. V každym případě znám zapojení kde obvodem drain-source protéká střídavý proud. Plošnej tranzistor taky vydrží když zaměníš emitor-kolektor, nesmíš to ale "zaměnit moc" tedy jen pro menší proudy. FETy by měly bejt ještě o něco odolnější na přepólování. Pokud se mílím tak mě někdo opravte.

Bipolární tranzistory se občas používají v inverzním zapojení, hlavně ve spínacím režimu, mosfety jsem ještě nezkoušel. Vyzkoušej a dej vědět.
Jindra

a co ochranná dioda mezi D a S?

s tou diodou to bude stale zopnute, ale treba vyskusat tranzistor bez tej diody.Keby som mal doma MOSFET bez ochrannej diody uz to skusam. Aj ja som zvedavy co to spravi

na malej výkon to vydrží určitě, to mám vyzkoušené, ale kolik to snese nevim

to by mě taky zajímalo...no dioda to by chtělo jí nějak zničit ale aby nevedla

Podle me ta ochrana dioda ma jen význam, když je tranzistor zavreny. Když je otevreny tak proud prochazi tranzistorem a dioda neni moc k vyuziti. Pokud se to prepoluje, tak dioda zacne propoustet proud, takze asi tezko budeme zjistovat, jestli je pruchozi tranzistor nebo dioda. Chtelo by to opravdu vyzkouset na nejakem Mosfetu bez ochranne diody.

lexxaa píše:Mám jeden velice hloupý dotaz, protože jsem zhnilý si to vyzkoušet. Co se stane s MOSFETEM, když přepóluju Drain a Source u NMOSFETu a u PMOSFETu? Ptám se proto, že když např. vytvořím N kanál pomocí napětí na Gate, tak spojím obě elektrody Drain i Source. A teď mi není jasné, čím je daný směr protékání proudu.

Trochu sa nad tým zamysli. Ak máš MOSFET typu N, tak aby si tranzistor zopol, potrebuješ mať na hradle kladné napätie voči emitoru(S). Ak by si tranzistor prepoloval, budeš mať na hradle voči emitoru záporne napätie a tranzistorom nemôže tiecť prúd.

njn ale kdyby měl tranzistor s vyvedenym substrátem tak by to šlo ne ? dneska je source propojenej právě s nim proto by to nešlo ale dřiv to mělo vývody 4...

dolac píše:Trochu sa nad tým zamysli. Ak máš MOSFET typu N, tak aby si tranzistor zopol, potrebuješ mať na hradle kladné napätie voči emitoru(S). Ak by si tranzistor prepoloval, budeš mať na hradle voči emitoru záporne napätie a tranzistorom nemôže tiecť prúd.

Ano, ale když se podíváš na vnitřní strukturu, tak je to symetricka soucastka, čili Drain i Source jsou stejně dotovane, maji stejný typ vodivosti a dohromady je spojuje stejny kanal. Čím je potom dané to, kudy má tect proud?
Podle me se to rozlišuje podle toho, kam se pripoji substrat. Pokud substrat neni zapojeny, tak se to nemusi rozlisovat.

přesně to si myslim taky...ve škole nějaký ty FETy se 4 nohama máme tak to zjistim a pak napíšu

lexxaa píše:

dolac píše:Trochu sa nad tým zamysli. Ak máš MOSFET typu N, tak aby si tranzistor zopol, potrebuješ mať na hradle kladné napätie voči emitoru(S). Ak by si tranzistor prepoloval, budeš mať na hradle voči emitoru záporne napätie a tranzistorom nemôže tiecť prúd.

Ano, ale když se podíváš na vnitřní strukturu, tak je to symetricka soucastka, čili Drain i Source jsou stejně dotovane, maji stejný typ vodivosti a dohromady je spojuje stejny kanal. Čím je potom dané to, kudy má tect proud?
Podle me se to rozlišuje podle toho, kam se pripoji substrat. Pokud substrat neni zapojeny, tak se to nemusi rozlisovat.

Nie som si celkom istý, že je to symetrická súčiastka. Na obrázkoch, kde sa vysvetľuje princíp činnosti MOSFETov sa kreslí ako symetrická, ale v skutočnosti je štruktúra trochu odlišná. Aj keby nebol substrat pripojený, D a S nie sú celkom identické.

Tak mam informace od přímo od vysokoškolského profesora. Symetrické mosfety se používají v číslcové technice, funguje v obou polaritach, ale jen par voltu. Co se tyče ostatních tranzistoru, ktere mají spojený substrát se sourcem, tak tam to nefunguje a riskujete přepolovaním, že vám to shoří a vyhodite pojistky. U vysokonapěťových to taky nejde, protože tam už ta struktura je jiná, než symetrická.
Ale zajimalo by mě, jak to fuguje u mosfetu s vyvedenou elektrodou ze subratu.