MOS FET

Zpráva

Nym · #1 Příspěvek od **Nym** » 31 led 2009, 19:01

Potřebovala bych znát příklady hodnot stejnosměrného napětí mezi gatem, sourcem a drainem pro MOSFET s kanálem N když tranzistor pracuje:

a) jako zesilovač malých signálů
b) jako sepnutý spínač
c) jako rozpojený spínač

ještě hledám schémata takovýchto obvodů, nevíte kde je najít?

Děkuju

Omlouvám se, jestli je to ve špatném tématu, ale moc jsem nevěděla kam s tím

mikollar. · #2 Příspěvek od **mikollar.** » 31 led 2009, 19:28

vsetko zalezi od typu. A vsetko je uvedene v katalogu daneho typu

Andrea · #3 Příspěvek od **Andrea** » 31 led 2009, 19:30

Nym píše:Potřebovala bych znát příklady hodnot stejnosměrného napětí mezi gatem, sourcem a drainem pro MOSFET s kanálem N když tranzistor pracuje:

a) jako zesilovač malých signálů
b) jako sepnutý spínač
c) jako rozpojený spínač

ještě hledám schémata takovýchto obvodů, nevíte kde je najít?

Děkuju

Omlouvám se, jestli je to ve špatném tématu, ale moc jsem nevěděla kam s tím

Napětí Ugs je:
a) kolem prahového Ugs
b) co nejvíce nad prahovým Ugs (v mezích Ugss)
c) co nejvíce pod prahovým Ugs (v mezích Ugss)
Prahové Ugs (Ugsth) se pohybuje podle typu tranzistoru od méně než 1V až po cca 10V.

Napětí Uds je (v případě odporové zátěže mezi napájecím napětím a drainem, source je uzemněný):
a) někde mezi 0 a napájecím napětím
b) co nejmenší
c) ideálně rovno napájecímu napětí
Maximální napájecí napětí je opět dáno typem tranzistoru.
Při jiném zapojení je to jinak.

#4 Příspěvek od **EKKAR** » 31 led 2009, 19:38

No to je odpověď za všecky prachy (mikollar).
Odpověď na Tvou otázku je opravdu nejednoduchá - opravdu záleží na typu, ale pokud má být tranzistor ať už bipolární, nebo unipolární zapojen jako zesilovač malých signálů, musí být v klidu bez přítomnosti budicího signálu pootevřený - tak, aby se podle příchozího signálu mohl v závislosti na jeho polaritě otevírat ještě více, nebo naopak přivírat. Záleží na potřebě stability, jestli se nastavený tzv. PRACOVNÍ BOD bude muset stabilizovat dalším zapojením nebo ne.
U spínače je napětí na kolektoru a emitoru (drain a source) závislé na použitém zapojení. Obecně - zátěž se zapojuje většinou do kolektoru, takže pokud je trand uzavřený, je na kolektoru napětí napájecího zdroje, pokud je otevřený, mělo by na kolektoru být napětí co nejmenší - je definováno proudem, který protéká trandem a jeho zbytkovým odporem v otevřeném stavu. Napětí (proud) ovládací elektrody (báze x gate) záleží na typu vodivosti tranzistoru.

Nym · #5 Příspěvek od **Nym** » 31 led 2009, 20:26

Děkuju moc za rady

BOBOBO · #6 Příspěvek od **BOBOBO** » 02 úno 2009, 07:55

Pěkná , přehledná tabulka vyšla v AR . Snad si vzpomenu . Byla v odělení pro začínající , zkraje časáku . Tžřeba někdo najde dříve .

pajosek2 · #7 Příspěvek od **pajosek2** » 02 úno 2009, 18:41

To co jste napsali je pravda,ale důležité je použít do daného zapojení trand,který pro to zapojení náleží.Pro zapojení jako spinač spínací FET a pro zesilovač ten,který je pro to určen.Pak platí i to,co tady bylo posáno.

BOBOBO · #8 Příspěvek od **BOBOBO** » 03 úno 2009, 06:46

Našel jsem

#9 Příspěvek od **EKKAR** » 03 úno 2009, 08:21

JOP - BOBOBO to našel, to je přesně WONO. Jen v té tabulce není napsané, že spousta FETů (hlavně těch výkonových) má ve struktuře paralelně ke kanálu zakomponovanou diodu, která způsobuje, že v opačném směru než se běžně zapojují se chovají jako trvale vodivé, aniž by byly jakkoliv buzeny.

Andrea · #10 Příspěvek od **Andrea** » 03 úno 2009, 11:27

EKKAR píše:JOP - BOBOBO to našel, to je přesně WONO. Jen v té tabulce není napsané, že spousta FETů (hlavně těch výkonových) má ve struktuře paralelně ke kanálu zakomponovanou diodu, která způsobuje, že v opačném směru než se běžně zapojují se chovají jako trvale vodivé, aniž by byly jakkoliv buzeny.

V tabulce jsou popsané MOSFETy s vyvedeným substrátem, tj. se čtyřma nožičkama. U těch je pak jedno, co je source a co je drain, záleží kam se připojí substrát. Ale všechny MOSFETy s třema nožičkama mají substrát propojený se sourcem a to tvoří tu diodu, která brání záměně source a drainu.