Měření impedance s přiloženým HV DC biasem

Problémy s návrhem, konstrukcí, zapojením, realizací elektronických zařízení

Moderátor: Moderátoři

Odpovědět
Zpráva
Autor
Uživatelský avatar
Pepu
Příspěvky: 2
Registrován: 12 úno 2009, 01:00

Měření impedance s přiloženým HV DC biasem

#1 Příspěvek od Pepu »

Prosím místní odborníky o radu, jak vhodně ochránit impedanční analyzátor Agilent 4294A proti vstupu vysokého napětí. Potřeboval bych měřit frekvenční charakteristiku feroelektrických vzorků do 10 MHz při přiloženém DC biasu. Vzniku oblouků na hranách by měla zabránit lázeň silikonového oleje. Problém nastane při možném probití vzorku (v náčrtu Csample, statickou kapacitu mívají vzorky kolem 100-300 pF). Energie v blokovacích kondenzátorech odpálí vstup analyzátoru. V jeho dokumentaci se mi bohužel nepodařilo dohledat odolnost vstupu, nicméně samotný analyzátor umí přiložit DC bias až +-40V/100mA. Považuji tedy tyto hodnoty za limitní.
http://www.home.agilent.com/agilent/pro ... CCLC=USeng

Zatím mám tato řešení:
1) rezistor >= 1MOhm paralelně se vzorkem - ačkoliv má analyzátor možnost kompenzace přípravku, obávám se nežádoucích vlivů na měření (např. parazitní rezonance)
2) transil/trisil/varistor - zde nemám jasno, jaké by byly nejvhodnější, zda by rychlost byla dostačující a kam nejlepe zapojit

Existuje případně nějaké zcela jiné řešení obvodu?

Díky za pomoc.
Přílohy
DCbias_meas.png
(16.35 KiB) Staženo 78 x

Uživatelský avatar
Bernard
Příspěvky: 3614
Registrován: 27 kvě 2005, 02:00

#2 Příspěvek od Bernard »

Oddělovací transformátor by nepomohl?

Uživatelský avatar
Hill
Administrátor
Administrátor
Příspěvky: 18898
Registrován: 10 zář 2004, 02:00
Bydliště: Jičín, Český ráj

#3 Příspěvek od Hill »

Nešlo by chránit vstup sériově spojenými diodami pólovanými tak, aby vybíjecí proud v případě průrazu vzorku zkratovaly? Jde jen o jejich počet, aby neotevřely ani při maximální amplitudě střídavého průběhu. Jejich kapacity budou zapojené sériově, takže by nemusely do měření zanést významnou chybu.

Uživatelský avatar
Pepu
Příspěvky: 2
Registrován: 12 úno 2009, 01:00

#4 Příspěvek od Pepu »

Do oddělovacího transformátoru bych šel nerad. Diody v sérii vypadají slibněji, musím se nad tím ještě zamyslet (něco takového jsem chtěl dosáhnout pomocí transilů či trisilů, asi kvůli rychlosti). Nápad s paralelním rezistorem musím zavrhnout, poněvadž je to vlastně nesmysl.
Při dalším slídění po internetu jsem narazil na myšlenku integračního obvodu s jFET OZ s kondenzátory ve zpětné vazbě - zatím nic konkrétnějšího.

Uživatelský avatar
Bernard
Příspěvky: 3614
Registrován: 27 kvě 2005, 02:00

#5 Příspěvek od Bernard »

Agilent má v handbooku něco jak navrhuje Hill, do +-200 V. http://cp.literature.agilent.com/litweb ... 0-3000.pdf , str. 5-31.

Odpovědět

Zpět na „Řešení problémů s různými konstrukcemi“