Stránka 1 z 2

paralelne zapojenie MOSFET

Napsal: 16 bře 2009, 19:02
od jarod
Zdravim, spravil som si elektronicku zataz na zaklade schemy na stranke od Tosiho, Obrázek
Skusal som ju funguje mi celkom fajn, do isteho okamihu. Skusam ju na Spinanom zdroji, ktory dava 25V. Chcem otestovat maximalny prud, ktory mi ten zdroj da. MOSFET, ktory je tam pouzity je do 180W. Pri prude okolo 6A sa odporucal. Tak som sa rozhodol pouzit paralelne zapojenie MOSFET-ov, teraz vsak pomocou BUZ11, dal som tam 6ks. Problem je v tom, ze tranzistory sa nerovnomerne zohrievaju. Jeden je vriaci ostatne chladne a ten horuci sa znici. Tranzistory su na spolocnom chladici, teplota by sa mala rozlozit rovnomerne. Ak sa jeden zohreje, zvacsi sa jeho vnutorny odpor a prud by sa mal znizit. Takto by sa mali povyrovnavat. Ale neplati to. Co je tam zle? Vdaka

Napsal: 16 bře 2009, 21:43
od Stan3
Zapojil bych každému do emitoru(S) odpor 0,1-1Ohm.

Napsal: 16 bře 2009, 21:59
od Zmije
Taky se vyplatí pohrát si s návrhem spojů k D a S, aby přívody ke každému tranzistoru měli shodný odpor.

Napsal: 16 bře 2009, 22:06
od ZdenekHQ
Ono totiž není jedno, jestli je tam 6A při 5V nebo 30V. Ztrátový výkon roste s druhou mocninou napětí.... Takže těch 14A při 30V bych chtěl vidět...

P.S. Jinak co fet, to jeden řídící operák. Jinak to nikdy nebude rovnoměrně zatížený.

Napsal: 16 bře 2009, 22:23
od Zmije
Třeba v UPS od APC mají S natvrdo připojené k minusu baterie, mají dobře geometricky rozvrženou desku a odpor mají seriově s Gate. Pro inspiraci nemusíš chodit daleko :) http://www.ebastlirna.cz/modules.php?na ... t&lid=1396

Napsal: 16 bře 2009, 22:53
od rnbw
Aj na zakladnych doskach ECS/PC Chips byvaju az 4 MOSFETy paralelne. Na niektorych typoch je dokonca aj budenie paralelne jednou dvojicou NPN/PNP, na inych ma kazdy kus budenie samostatne. Funguje to dobre, zhori to len po nafuknuti elytov.

Napsal: 17 bře 2009, 10:38
od ZdenekHQ
To ano, ale ty fety jsou v úplně jiným režimu buzení, tím chci říct, že se otevírají naplno. Zkuste se zeptat hifistů, co dělá FET v lineárním režimu a jak "dobře" se mu stabilizuje pracovní bod při zahřívání.

Napsal: 17 bře 2009, 11:22
od jarod
Skusal som zapojit FETy pomocou vodicou, kazdy bol rovnako dlhy a tak som to potom pripojil k DPS. Velmi mi to nepomohlo. To bude asi najhorsie, ze tam je FET v linearnom rezime a sa dost zahrieva.
Akou cestou by bolo najvhodnejsie ist? Dat pre kazdy FET OZ? V tom pripade by som mal upravit zapojenie nasledovne?

Napsal: 17 bře 2009, 11:57
od Andrea
jarod píše:Skusal som zapojit FETy pomocou vodicou, kazdy bol rovnako dlhy a tak som to potom pripojil k DPS. Velmi mi to nepomohlo. To bude asi najhorsie, ze tam je FET v linearnom rezime a sa dost zahrieva.
Akou cestou by bolo najvhodnejsie ist? Dat pre kazdy FET OZ? V tom pripade by som mal upravit zapojenie nasledovne?
Ty invertující vstupy operáků nepropojovat, takhle by sis moc nepomohl.

Napsal: 17 bře 2009, 12:44
od ZdenekHQ
A dej tam čidlo s ventilátorem, pasivní chlazení bude na větší výkony slabý.

EDIT - Teď se dívám, že fukar tam je. Jen bych ho posunul už na 40st. či ještě níž....

Napsal: 17 bře 2009, 13:05
od Zmije
Toho lineárního režimu jsem si nevšiml, stejně si ale myslím že nejlepší řešení by bylo předělat to s pwm.

Napsal: 17 bře 2009, 14:53
od rnbw
Uz som si vsimol, ze ide o zataz, takze je vlastne cielom, aby na tych MOSFEToch bola vykonova strata.

Napsal: 17 bře 2009, 16:15
od jandu
Dnes som dával dole z MBR 4 ks FQB60N03L mosfety a napadlo ma - maly by to byť s čo najmenším Rds. Tak by rozdelenie prúdu bolo asi rovnomernejšie.

Napsal: 17 bře 2009, 16:51
od forbidden
ZdenekHQ píše:Ono totiž není jedno, jestli je tam 6A při 5V nebo 30V. Ztrátový výkon roste s druhou mocninou napětí.... Takže těch 14A při 30V bych chtěl vidět...

P.S. Jinak co fet, to jeden řídící operák. Jinak to nikdy nebude rovnoměrně zatížený.
Tech 14 A je absolutni maximum s ohledem na vykonnovou ztratu na bocniku (20 W). Pripadne tech 20 A pri stride 50%. Samozrejme se musi brat v uvahu i max. vykonnova ztrata na tranzistoru a pocitat s ni.

To schema s paralelnimi operaky by mohlo fungovat, jen se nesmi spojit inv. vstupy (jak spravne poznamenala Andrea).

Mimochodem Davidus me upozornil, ze max. vykonnova ztrata toho MOSFETu je asi 180 W. Ja mam katalog, kde je uvedeno az 230 W, ale nasli jsme uz i ruzny jiny udaje. Lisi se to podle vyrobce.
Vyzkouseno mam z olovenyho akumulatoru asi 168 W 12 V*14 A.

Napsal: 17 bře 2009, 16:56
od ZdenekHQ
Když to uchladíš, proč ne.

Ale většina lidí tam dá křidýlko z kusu plechu a čeká zázraky. Největší zázrak je v tomto případě aktivní chlazení, nejlépe tak, že se to celý vrzne do "tunelu" jako u fénu :D