Spínání IGBT

Poruchy, opravy, rady, návody

Moderátor: Moderátoři

Zpráva
Autor
Uživatelský avatar
goody
Příspěvky: 151
Registrován: 13 zář 2009, 02:00
Kontaktovat uživatele:

Spínání IGBT

#1 Příspěvek od goody »

Mam takovy trapný dotaz, ale nechce se mi to tu teď bastlit a zkoušet. Potřebuji spínat IGBT transistor, ale nechce se mi tam dávat budič, protože to je:
a) LowCost řešení
b) Není pro mě kritický čas plného otevření

Bohatě mi postačuje 100uS, protože PWM je 3Khz. Otázka zní, jestli to takto bude fungovat a dojde do těch 100uS k celkovému otevření a půjde to vybudit přes R30 (1k) a Q2 (2N3904) z TTL 5V MCU, nebo tam budu muset dát Darlington. Případně jestli by stačilo, kdyby byl R30 4k7. Napájení TTL logiky je oddělené přes spínaný zdroj 5V se společnou zemí.

Goody

PS: Spínaný proud bude do 4A
Přílohy
pulse.gif
vytržená ukázka ze schemy
(9 KiB) Staženo 48 x
Naposledy upravil(a) goody dne 10 pro 2009, 15:21, celkem upraveno 1 x.

Uživatelský avatar
forbidden
Příspěvky: 8808
Registrován: 14 úno 2005, 01:00
Bydliště: Brno (JN89GF)
Kontaktovat uživatele:

#2 Příspěvek od forbidden »

Otazka je, jaky napeti je pred R30? Proud do hradla potece pres R29. Jaka je kapacita prechodu? Z ni a hodnoty R29 jde zhruba vypocitat cas otevreni.

P.S. IRF630 neni IGBT, ale normalni MOSFET.

jo, ted jsem si vsimnul, ze tam budes mit 5V, takze po ustaleni bude na hradlu asi 4,4 V. To chce kouknout do katalogu, jestli je pri tomto napeti uz dostatecne otevrenej pro tvy potreby.
Naposledy upravil(a) forbidden dne 10 pro 2009, 15:23, celkem upraveno 1 x.

Uživatelský avatar
goody
Příspěvky: 151
Registrován: 13 zář 2009, 02:00
Kontaktovat uživatele:

#3 Příspěvek od goody »

forbidden píše:Otazka je, jaky napeti je pred R30? Proud do hradla potece pres R29. Jaka je kapacita prechodu? Z ni a hodnoty R29 jde zhruba vypocitat cas otevreni.

P.S. IRF630 neni IGBT, ale normalni MOSFET.
Jj sorry. Pred R30 je beton 4,5V. Jinak mas pravdu s tim Mosfetem.

Uživatelský avatar
forbidden
Příspěvky: 8808
Registrován: 14 úno 2005, 01:00
Bydliště: Brno (JN89GF)
Kontaktovat uživatele:

#4 Příspěvek od forbidden »

Jo tak to je jeste min, hlavne nezapomen, ze je dulezity napeti mezi G a S. Takze jestlize budes mit jeste nejakou zatez, tak to napeti nemusi byt dostatecny na otevreni (cast napeti bude na te zatezi).

Uživatelský avatar
goody
Příspěvky: 151
Registrován: 13 zář 2009, 02:00
Kontaktovat uživatele:

#5 Příspěvek od goody »

Tak by měl mít parchant 600pF na Gate, tak by to snad mohlo klapnout.

Uživatelský avatar
goody
Příspěvky: 151
Registrován: 13 zář 2009, 02:00
Kontaktovat uživatele:

#6 Příspěvek od goody »

forbidden píše:Jo tak to je jeste min, hlavne nezapomen, ze je dulezity napeti mezi G a S. Takze jestlize budes mit jeste nejakou zatez, tak to napeti nemusi byt dostatecny na otevreni (cast napeti bude na te zatezi).
Takze jestli to chapu dobře tak darlnigton, ale jak jsem psal, tak proud MAX 4A a TTL je napájeno nezávysle.
Naposledy upravil(a) goody dne 10 pro 2009, 15:30, celkem upraveno 1 x.

Uživatelský avatar
forbidden
Příspěvky: 8808
Registrován: 14 úno 2005, 01:00
Bydliště: Brno (JN89GF)
Kontaktovat uživatele:

#7 Příspěvek od forbidden »

goody píše:Tak by měl mít parchant 600pF na Gate, tak by to snad mohlo klapnout.
Bez problemu, to bylo jen cviceni pro tebe :)

Uživatelský avatar
forbidden
Příspěvky: 8808
Registrován: 14 úno 2005, 01:00
Bydliště: Brno (JN89GF)
Kontaktovat uživatele:

#8 Příspěvek od forbidden »

goody píše: Takze jestli to chapu dobře tak darlnigton.
Dulezity je co bude za tim tranzistorem, takhle na casti se to neda rict. Napeti na gate meris vzhledem k zemi, ale pro otevreni je dulezity vzhledem k source. Takze jestlize bude ze source nejaka zatez na zem, tak se na ni ztrati napeti potrebny k otevreni.

Uživatelský avatar
goody
Příspěvky: 151
Registrován: 13 zář 2009, 02:00
Kontaktovat uživatele:

#9 Příspěvek od goody »

Popravdě zátěž bude Pb akumulátor. Budu budit PWM ten MOSFET a měřit proud a napětí na MCU. Každopádně budu muset chladit. Na druhou stránku při větších proudech nebude doba otevření tak kritická, protože PWM střída bude třeba 50%, což při 3Khz bude už snad švanda.

Uživatelský avatar
goody
Příspěvky: 151
Registrován: 13 zář 2009, 02:00
Kontaktovat uživatele:

#10 Příspěvek od goody »

Teď mě tak napadá, jestli půjde takto ten akumulátor vůbec dobíjet a ten MOSFET to ustojí a neměl bych tam raději dát nějakou zenerku na to Gate.

Uživatelský avatar
Burajko
Příspěvky: 1803
Registrován: 21 srp 2009, 02:00

#11 Příspěvek od Burajko »

Toto zapojenie je uplna blbost ten fet nikdy takto neotvoris uplne.Aj ked skratujes G s D vzdy na nom bude okolo 4-5V.Pouzi P fet.
To uz to mozes linearne ovladat... :lol:
Už druhý krát strihám a furt je to krátke

Uživatelský avatar
goody
Příspěvky: 151
Registrován: 13 zář 2009, 02:00
Kontaktovat uživatele:

#12 Příspěvek od goody »

Burajko píše:Toto zapojenie je uplna blbost ten fet nikdy takto neotvoris uplne.Aj ked skratujes G s D vzdy na nom bude okolo 4-5V.Pouzi P fet.
To uz to mozes linearne ovladat... :lol:
Jj. Ted na to koukam, ze uz mi asi hrabe. Thx.

Uživatelský avatar
goody
Příspěvky: 151
Registrován: 13 zář 2009, 02:00
Kontaktovat uživatele:

#13 Příspěvek od goody »

Takže změna. Teď by měl přes G-S vždy protékat proud a TTL by to měla v pohodě vybudit, pokud to dám takto. Kafe už mi nepomáhá, takže snad pomůžete Vy :)

goody
Přílohy
pulse2.gif
Oprava schemy
(9.03 KiB) Staženo 102 x
Naposledy upravil(a) goody dne 10 pro 2009, 16:21, celkem upraveno 1 x.

Uživatelský avatar
ZdenekHQ
Administrátor
Administrátor
Příspěvky: 25593
Registrován: 21 črc 2006, 02:00
Bydliště: skoro Brno
Kontaktovat uživatele:

#14 Příspěvek od ZdenekHQ »

Přesně tak, takhle nikdy ten fet naplno neotevřeš. Ovšem ve Tvým případě není problém si vyrobit pomocný zvýšený napětí a tím to otevírat, samozřejmě s ochranou zenerkou v gate.

Pulse2 je lepší, jen tam chybí příslušnej odpor, co ten fet zavře.
Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?
]

Uživatelský avatar
forbidden
Příspěvky: 8808
Registrován: 14 úno 2005, 01:00
Bydliště: Brno (JN89GF)
Kontaktovat uživatele:

#15 Příspěvek od forbidden »

Jo, to uz je lepsi. Proud bude pres G-S protekat jen dokud se nenabije kapacita prechodu, pak uz ne. Ale to ti nevadi, MOSFET bude uz seplej.
Jak pise Zdenek, dej tam jeste odpor, kterej zajisti vypnuti bez buzeni.

Odpovědět

Zpět na „Svářečky, UPS, nabíječe, měniče, zdroje, trafa a další“