[BETA] Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Ahoj dělám tenhle ohradník.Schema je od danyka jen sem doplnil blokovací kondenzátory tj. jeden v napájení druhej blokuje pin č.5 proti zemi.Potřebuju se poradit kam připojit nějaký ochranný prvky na napětovou ochranu tranzistoru.

ještě jednou schema

To se mi vůbec nelíbí, když to VN z cívky je defakto v sérii s T1. Mnohem lepší bude vztáhnout ho přímo k zemi a mínus pólu. Rozpoj "studenej" konec cívky a spoj ho se zemí.

Když v tý potvoře zapalovací cívce jsou ta vinutí spojená , v originálu se využívá v součtu i napěťové špice primáru .

Ja som dávnejšie robil tento ohradník: http://paja-trb.unas.cz/elektronika/kon ... adnik.html Fungoval bez problému. Tu je indukčná cievka zapojená inak. Ak si dobre pamätám, tak takto je zapojená aj v aute.

Osobně bych C5 vyměnil za antiparalelně zapojenou diodu =)

To myslíš vážne ?

On to stou diódou myslel vážme. To čo tu predvádzaš patrikvarga by neprežilo prvý takt. Jeho (pepe363) by akurát zamedzila generovanie vysokého napätia.
Celé to zapojenie je šmejd, ktorý bude dávať nejaké VN šupy na stole. Ak sa to pripojí na 100-500m ohradník, tak to nekopne ani muchu.
Už sa to tu riešilo. Kapacita ohradníka je tak veľká, že nehrozí vygenerovať napätie, ktoré by bolo potrebné.
Po rozopnutí tranzistora sa na primáre môže indikovať tak cca 150 až 350V. Tieto hodnoty sa dosahujú v pohode bez toho C5. Vhonejšie by bolo miesto toho kondenzátora zapojit 350V tranzil. Iná, lepšia možnosť je použiť mosfet s vlasnými ochranami presne navrhnutý-vyrobený pre spínanie zapaľovania (Inition Switching Transistor).
To by odpadla "parazitná" kapacita, ktorá zaťažuje tranzistor(na začiatku zbytočným nabíjaním) a v druhej fáze bráni generovať napäťový "skok" pri rozpojení tranzistora.
Ak inej možnosti na ochranu tranzistora prepätím nie sú, ten kondenzátor treba zapojiť do série s odporom cca 1...10kΩ. Začal by som pri 1k a sledoval kolektorové napätie osciloskopom. Ten Mos vydrží 400V špičky v pohode. On má aj svoju "tranzil-diódu" ibaže sa neprekročí zmarená energia impulzu v nej.

Však má tu "výkonnost" v profilu článku .

Indukčnosť 5mH s odporom 0,7Ω, IRF840 má cca 0,8Ω(katastrofa, spolu je to 1,5Ω) dá max prúd 8A čase t=∞ a a nie 15ms. Pri všetkej úcte to bude v indikčnosti energia 1/2*8^2*0,005=0,160)J...podotýkam v nekonečne.
S lepším tranzistorom(0,0Ω ) by to bolo lepšie:
E=1/2*17^2*0,005=0,720J tiež pre čas šesť až desať násobok tau(L/R).

A to sú energie, ktoré nasaje cievka. Aby sa to dostalo na "páchateľa" sa z toho ešte stratí možno dobrých 50 až 80%.

namiesto irf tam daj IRFP260 (max napetie na nom bude okolo 200V) ALebo IRFP460 tam tych voltikov bude viacej a pofachci to aj bez opovrhovaneho kondika alebo zenerky

Tak sem to schema mírně upravil.Kondík C5 sem přemístil.Dioda D3 uzemnuje vysokonapětový impulz.A dioda D2 zkratuje napětí opačné polariti vybuzené při vypínání proudu primárem indučky.Šel by při tomhle zapojení použít tranzistor BUZ 11? Důvod mám je všuplíku ale hlavně maj v sepnutým stavu odpor jen 0,04 ohmu.

Dioda D3 je tam úplně na nic, zaprvé ji má T1 ve struktuře a zadruhé je 1N4007 dost pomalá. A jak tu psal procesor, tak tou diodou D2 leda zkratuješ špičky po vypnutí T1, který generují ty VN impulsy.

Jo a zkus na kreslení schémat ProfiCAD třeba, na doma je zdarma a je jednoduchej na naučení.

BV DSS=50V je žalostne málo u toho BUZ11. Tu sa vyžaduje aspoň 150 až 400V. Potom je dobré aby tá dióda, ktorá je anti-paralelne k DS bola schopná skonzumovať nejakú tú energiu opalokane cca 100mJ, prípadne jednorázovo nad 500mJ.
Tieto údaje hovoria o schopnosti toho tranzistora prežiť v drain-ne s indukčnosťou aj bez doplnkových ochrán. Neplatí to samozrejme bez obmedzenia, najmä čo sa týka prúdu a hodnoty indukčnosti.

Ešte dodám, že s narastajúcim BV Dss napätím rastie aj RdssON. Takže treba hľadať kompromis.
Lepšie na tom sú pri väčších prúdoch IGBT.