Stránka 1 z 1
SiC
Napsal: 28 úno 2017, 11:41
od Cust
Právě mě dorazilo pár kusů tranzistorů vyrobených z karbidu křemíku. Je to nová technologie, máte s tím někdo nějaké zkušenosti?
Já mám mosfet C2M0280120D, koupil jsem ho pro generátor krátkých pulsů, standardní mosfet tranzistory mají diodu s dlouhým trr, zde je to o řád lepší, taky kapacity jsou někde jinde a cena? za hubičku. Mám čekat nějaké obstrukce, které v datasheetu nevidím?
Napsal: 28 úno 2017, 11:54
od PeteBurns
Myslim, ze budes spokojny, SiC suciastky su vyrazne rychlejsie a citelne menej sa zohrievaju
![Wink ;)](./images/smilies/icon_wink.gif)
Napsal: 28 úno 2017, 12:41
od samponek
SCTW100N65G2AG s gatedrivery UCC27531
22mΩ ! a hlavně ta nebrzdící dioda v praxi znamená déčkový, nebo TD zesilovač 2.5kW v nezměněném zapojení ještě míň se zahřívající oproti IRF644.
Napsal: 28 úno 2017, 12:54
od forbidden
Bacha na překmity na gate, podle mých zkušeností jsou mnohem míň tolerantní jak běžný FETy a prorazí se ochotněji.
Ideální buzení je +20 -5 V pro nejrychlejší otevření a zavření a nejmenší RDSon, ale zase UGS max je jen 25 V.
Napsal: 28 úno 2017, 13:15
od Cust
Jo, s tím počítám, mám buzení +-15 V
musí se to předělat na +15 -5 V
Napsal: 28 úno 2017, 13:16
od samponek
Pokud pojedeš nad 0.5MHz a 200V dej jenom -3V a +13.5V, pak sem hoď měření, nebo výsledky pokusů.
Napsal: 28 úno 2017, 13:39
od Cust
1 MHz - 400 V
Napsal: 28 úno 2017, 13:46
od samponek
OK
![Smile :)](./images/smilies/icon_smile.gif)
potom sem hoď výsledek pokusů, jak to vypadá na cca 1.5 až 2MHz a 200V, pokud to pude tak 5 až 30A, indukčnost 5 až 10µH. Potřebuju to kvůli téčku se sigma-delta modulátorem druhého řádu.
Pak-li že to projde, bude zcela zbořeno dogma o spínacích zesilovačích a nutnosti vyvíjet lineární hifi zesilovače ve třídě AB.
Napsal: 28 úno 2017, 14:06
od Cust
proč to 13.5 V a -3 V?
Napsal: 28 úno 2017, 14:24
od samponek
Protože mám praktickou zkušenost na 1300kHz s obyč mosfety a gatedriver bylo nutné chladit, kapacita Cgs je u SiC zhruba totožná.
Nakonec, když se Ti bude chtít a budeš mít čas, můžeš vzít ověřené zapojení Class D sampon 2200 stačí ho zapojit jen jednu půlku/ bez mostu/, osadit SiC nejlépe s příslušnými gatedrivery, brzdící kondíky 220p na vstupech gatedriverů zmenšit co to půjde, třeba na 47p a kondík ve zpětné vazbě integrátoru taky zmenšit co to pude, dát tomu DC 150V, jinak všechno můžeš nechat, tak jak je a zkontrolovat hertzmetrem na jakém kmitočtu to poběží. Takto upravené by to mělo naskočit aspoň na 700kHz. ( nyní to běží na 360kHz)
Napsal: 28 úno 2017, 14:34
od Cust
Děkuji za úkol, ale mám své práce dost. Nicméně Cgs je poněkud jinde...
Napsal: 28 úno 2017, 14:45
od samponek
Ano, počítám se 100A SiC dostávám se na 3nF, samotný mosfet má k 1nF a musí být tři paralelně. Vzhledem ke gatedriveru je to zhruba totožné a proto -3 a +13.5V.
Ve výsledku však menší a to je dobře.