Měření bipolárních a unipolárních tranzistorů

Základní principy, funkce, rovnice, zapojení - t.j. vše, co byste měli vědět, než se pustíte do praktické realizace elektronického zařízení

Moderátor: Moderátoři

Odpovědět
Zpráva
Autor
Uživatelský avatar
aligator
Příspěvky: 195
Registrován: 24 lis 2017, 01:00

Měření bipolárních a unipolárních tranzistorů

#1 Příspěvek od aligator »

Dobrý večer,Děkuji za přijetí do tohoto fóra.

Nevím kam svůj dotaz umístit,tak jsem jej vložil do této sekce.

Velice často objednávám součástky z Aliexpress apod..

Jde mi to,jakou testovací metodou ověřit,zda Mos-fet je opravdu Mos-FET,zda bipolární tranzistor je skutečně takový a IGBT ,že je opravdu IGBT.

Nějak nevím,jak je testováním rozlišit.

Mos-fet (kanál N) bych zkusil přivedením kladného napětí na Gate,S na zem,a na drainu (po otevření tranzistor by měl být mínus)

bipolární NPN přivedením kladného napětí do báze,Emitor na GND a na kolektoru by byl zesílený negativní výstupní signál
+ HFe,

Ale co IGBT? :roll: :? :oops:

Vím,že tento typ je kombinací obou tranzistorů,ale nevím jak řádně prověřit rozdíl mezi nimi.

Uživatelský avatar
Hydrawerk
Příspěvky: 7678
Registrován: 13 pro 2011, 01:00
Bydliště: Earth

#2 Příspěvek od Hydrawerk »

Použil bych asi ten známý AVR tester. Ale důsledné proměření parametrů bude obtížné. Na Aliexpressu bych nějaké kritické součástky nenakupoval.

Uživatelský avatar
aligator
Příspěvky: 195
Registrován: 24 lis 2017, 01:00

#3 Příspěvek od aligator »

Děkuji :D

jaký AVR tester máte na mysli?

Jedná se mi o to,jak rozlišit,že třeba mnou nakoupený IGBT není jen přeznačený MOS-FET,nebo něco takového. :roll: :roll: :roll:

Uživatelský avatar
BOBOBO
Příspěvky: 18110
Registrován: 25 úno 2008, 01:00
Bydliště: Rychnovsko

#4 Příspěvek od BOBOBO »

Až si nastuduješ vstupně-výstupní vlastnosti potřebných prvků , přestaneš se takto ptát . A pokud chceš něco smysluplně dělat , tak si to nastuduj . Je to ve Tvém!! zájmu .

Uživatelský avatar
jezevec
Hlavní moderátor
Hlavní moderátor
Příspěvky: 5414
Registrován: 13 čer 2004, 02:00
Bydliště: Břeclavsko
Kontaktovat uživatele:

#5 Příspěvek od jezevec »

Jak píše BOBOBO, v první řadě je potřeba mít nějaké vědomosti, pak trochu zkušeností a budeš si je umět od sebe rozlišit obyčejným multimetrem přepnutým na diodový test.

Uživatelský avatar
Hydrawerk
Příspěvky: 7678
Registrován: 13 pro 2011, 01:00
Bydliště: Earth

#6 Příspěvek od Hydrawerk »


Uživatelský avatar
aligator
Příspěvky: 195
Registrován: 24 lis 2017, 01:00

#7 Příspěvek od aligator »

Zlobit se nemohu,protože jsou to moje nedostatky :oops: :oops:

u bipolárního tranzistoru dle mě musí být v bázi vstupní signál pořád (aby zůstal tranzistor otevřený).

U mos-fetu je to jiné.Ten bych měl otevřít jen ,,škrtnutím" červeným hrotem multimetru o Gate a černým hrotem o SOURCE. MOS-FET s kanálem N by v této chvíli měl být pořád otevřen :roll:

Uživatelský avatar
BOBOBO
Příspěvky: 18110
Registrován: 25 úno 2008, 01:00
Bydliště: Rychnovsko

#8 Příspěvek od BOBOBO »

No tak jsi na 1% , ale logika přístupu je správná . Mnohdy účastníci sypou deklarace , ale nevědí co ony jsou . Máš pravdu , tu 1%ní . Jen dál .

Uživatelský avatar
Atlan
Příspěvky: 4499
Registrován: 10 kvě 2004, 02:00
Bydliště: Košice

#9 Příspěvek od Atlan »

Sranda zacina az zacnes na mosfet merat Rds, a otrepes im to o hlavu ze to nema parametre.
Az mam strach zatazit to prevadzkovym napatim.

Uživatelský avatar
Sendyx
Příspěvky: 12118
Registrován: 05 čer 2005, 02:00
Bydliště: Ostrava

#10 Příspěvek od Sendyx »

To se budeš muset poněkud vybavit technikou, takový dobrý základ je slušný CT...

Obrázek


Nebo aspoň jakýkoliv CT...


Obrázek


A pochopitelně je třeba další technika, nebo se radši na pochybné zdroje součástek vykašlat a kupovat na jistotu.
Curvetraceristé všech zemí spojte se!

Odpovědět

Zpět na „Teorie“