Spínání MOSFETu

Zpráva

termit256 · #16 Příspěvek od **termit256** » 30 bře 2019, 09:20

No, lepsi by bylo spinat ho rovnou tim obvodem kterym spinas rele, pokud potrebujes galvanicke oddeleni, tak tam dej optoclen. Na kontaktech relatka jsou pri sepnuti a rozepnuti zakmity, ty se ti mohou kopirovat do zateze.

volente · #17 Příspěvek od **volente** » 30 bře 2019, 12:15

To je mi vcelku jedno, bude to spínat topné těleso. Jen mi jeden známí neustále tvrdí že to ten tranzistor nedá, že se bude zavírat pomalu.
A spínat ho můžu tím obvodem co spíná relátko a zemnit přes odpor.

#18 Příspěvek od **masar** » 30 bře 2019, 12:35

To, jest-li to tranzistor "dá" nebo "nedá" lze odvodit od proudu zátěží a typu tranzistoru (a nesmí být zapojen jako "sledovač"). Rychlost sepnutí je v tomto případě (topné těleso) méně významná, pokud jde o jednorázové spínání.

volente · #19 Příspěvek od **volente** » 30 bře 2019, 14:22

Jde o to že tvrdí že tento mosfet nevydrží to pomalé rozepnutí protože bude po dobu ms překročen ztrátový výkon. Co se týká proudu i napětí je to snad dostatečně dimenzované.
Jsem jen prostý elektrikář s nějakou malou znalostí elektroniky, ale nějak se mi nezdá že by to ten tranzistor odpálilo. Proto jsem se rozhodl zeptat.

termit256 · #20 Příspěvek od **termit256** » 30 bře 2019, 15:28

Co vydrzi nebo nevydrzi vyctes z grafu fig8 na strane 4 DS.
http://www.irf.com/product-info/datashe ... rf3205.pdf

#21 Příspěvek od **masar** » 30 bře 2019, 16:34

Omlouvám se za přehlédnutí údajů. Takže v tvém případě platí ta červená čára na grafu. Znamená to, že tranzistor by měl tvoje požadavky splnit, bude-li čas jeho sepnutí nebo rozepnutí kratší než 1ms. Pokud bude gejt řízen zdrojem s nízkým odporem (do výše max. jednotek kΩ), máš "splněno".
Kontak relé není pro tento účel vhodný. Má sice malý odpor, ale zase vlivem jeho zákmitů dochází k většímu počtu nedefinovaných sepnutí/rozepnutí, což představuje jisté riziko. Proto je vhodné tranzistor spínat "definovaným" řídícím průběhem, přes vhodný budič.

volente · #22 Příspěvek od **volente** » 30 bře 2019, 19:24

Děkuji,
Ještě abych to uvedl na správnou míru, jedná se o tento modul
https://www.chatteris.biz/blog/voltage-control-relay/

#23 Příspěvek od **masar** » 31 bře 2019, 10:16

Jsou v podstatě 2 možnosti. Buď vyvést z modulu ovládací napětí pro relé (pokud splňuje podmínky SOA) a nebo použít R-S klopný obvod. Principiální schema přikládám.

p.s. Ještě upozorňuji na nutnost zajistit, aby ovládací napětí bylo k dipozici dříve, než napětí silového obvodu, popř. zařadit další ochranné obvody, zajišťující tento požadavek (není možné připustit připojení/odpojení ovládacího napětí 12V během "provozu").

weed_smoker · #24 Příspěvek od **weed_smoker** » 31 bře 2019, 10:50

Pokud opravdu potřebuju spínat v high side a nemůžu použít FET typu P nebo obvod BTS (BTS409,BTS410,BTS432F...),dám FET vodivosti N a "plovoucí buzení" z obvodu HCNW3120 s napájením z malýho oddělovacího měniče (třeba 15V/15V 1-2W).Obvod buzení tak není vícebodově spojenej s výkonovým(spojený jen GND výstupu měniče se S tranzistoru FET).Je to o něco dražší,ale používá se to běžně,protože spousta FETů existuje jenom N a stejný typu P prostě nejsou (hlavně ty opravdu silnoproudý(BSM111) a ty "vysokonapěťový"(IRG4PC50W),natož IGBT(o IGBT s P/PNP jsem nikdy neslyšel) nemaj protikus P nebo o něm nevim).

breta1 · #25 Příspěvek od **breta1** » 31 bře 2019, 11:22

Nebo zkusit např. PVI5050 a přímo budit N FET.
Bonus je galvanické oddělení a spínat možno proti plusu nebo mínusu.

#26 Příspěvek od **masar** » 31 bře 2019, 11:34

S tím se ovšem do požadované oblasti SOA nedostaneš.

breta1 · #27 Příspěvek od **breta1** » 31 bře 2019, 11:39

Proč - co by bylo špatně?

#28 Příspěvek od **masar** » 31 bře 2019, 11:56

Vstupní kapacita MOSFetu je >3nF (viz DS) a schopnost pvi pracovat do kapacitní zátěže je na následujícím grafu. Jak by byl dlouhý ton a toff?

breta1 · #29 Příspěvek od **breta1** » 31 bře 2019, 15:18

Možná se dívám na to špatně, ale tu oblast SOA chápu jinak.
Ten pravý horní roh červené platí pro případ, že po dobu 1ms bude na tranzistoru 27V a poteče jím proud 25A - ale to při spínání tranzistoru s odporovou zátěží, který tady řešíme, přece nikdy nenastane, v nejhorším případě, při napůl otevřeném tranzistoru, bude na něm polovina napětí a poteče poloviční proud.
Takže se dostáváme až pod tu hranici 10ms, takže ten přeběh okolo toho nepříznivého maxima výkonu v polovině spínání by měl trvat chviličku.
Na obrázku jsem zelenými tečkami nakreslil přibližně body, kudy tranzistor cestuje.
Nebo je to špatná úvaha?

#30 Příspěvek od **masar** » 31 bře 2019, 15:51

Ne. Tvoje úvaha je správná. Já jsem si to poněkud "zjednodušil" a byl jsem tak na spínací rychlost příliš přísný:oops:. Nicméně i v tomto případě není z výše uvedených responze křivek jisté, že tranzistor s kapacitou 3nF včas vypne. Druhá věc je, že by ten návrh neměl být příliš "na hraně" a měl by mít bezpečné rezervy.