potřebuji postavit elektnickou zátěž, která bude umět 4 x 25A, ale také 1x100A.
Po řadě úvah to vidím na 4 moduly, kde každy bude umět 25A a v případě 100A se zapojí paralelně.
Koncepce modulu začínala na MOSFET tranzisotr + měříci odpor (bočník) jeden OZ měří I na bočníku a druhý porovnává proud bočníkem s napětím z DAC tedy požadovaným proudem. Poslední OZ měří napětí na zátěži tedy MOSFET+ bočník. V první verzi byly v modulu 4ks MOSFET/bočník něco jako FDA50N50 500V 48A 105mOhm,
http://213.114.131.21/_pdf/FD/FDA50N50.pdf a celý modul řídil mějaký ASRM MCU s 12bit DAC a ADC 16/12bit.
Proč 4ks paralelně, snižeje to celkový min odpor zátěže , zvyšuje plochu pro přestup tepla z tranzoisptru na chladič.
Nakonec jsem to min. na urovni návrhu dotáhl do zátěže srovntelní s profi zátěžemi nejvyšší třídy , čemuž odpovádala i složitost a mě chytlo období zjednodušování.
Vzal jsem to z gruntu a snažím se modul osadit jen jednim MOSFET + jedním bočníkem, aktualně uvažuji o obludě IXFN132N50P3 což je 500V 112A 39mOhm s max ztratovým teplem 1500W
![Very Happy :D](./images/smilies/icon_biggrin.gif)
https://www.littelfuse.com/~/media/elec ... et.pdf.pdf
Nicmeně aktulní nabídky MOSFET tranzistoru zrovna nesleduji a tak pokud někdo vidí proč vybraný MOSFET nepoužít , přídaně by doporučil jiny lepší levnější.