paralelne zapojenie MOSFET

Zpráva

jarod · #1 Příspěvek od **jarod** » 16 bře 2009, 19:02

Zdravim, spravil som si elektronicku zataz na zaklade schemy na stranke od Tosiho, Obrázek

Skusal som ju funguje mi celkom fajn, do isteho okamihu. Skusam ju na Spinanom zdroji, ktory dava 25V. Chcem otestovat maximalny prud, ktory mi ten zdroj da. MOSFET, ktory je tam pouzity je do 180W. Pri prude okolo 6A sa odporucal. Tak som sa rozhodol pouzit paralelne zapojenie MOSFET-ov, teraz vsak pomocou BUZ11, dal som tam 6ks. Problem je v tom, ze tranzistory sa nerovnomerne zohrievaju. Jeden je vriaci ostatne chladne a ten horuci sa znici. Tranzistory su na spolocnom chladici, teplota by sa mala rozlozit rovnomerne. Ak sa jeden zohreje, zvacsi sa jeho vnutorny odpor a prud by sa mal znizit. Takto by sa mali povyrovnavat. Ale neplati to. Co je tam zle? Vdaka

Stan3 · #2 Příspěvek od **Stan3** » 16 bře 2009, 21:43

Zapojil bych každému do emitoru(S) odpor 0,1-1Ohm.

Zmije · #3 Příspěvek od **Zmije** » 16 bře 2009, 21:59

Taky se vyplatí pohrát si s návrhem spojů k D a S, aby přívody ke každému tranzistoru měli shodný odpor.

#4 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 16 bře 2009, 22:06

Ono totiž není jedno, jestli je tam 6A při 5V nebo 30V. Ztrátový výkon roste s druhou mocninou napětí.... Takže těch 14A při 30V bych chtěl vidět...

P.S. Jinak co fet, to jeden řídící operák. Jinak to nikdy nebude rovnoměrně zatížený.

Zmije · #5 Příspěvek od **Zmije** » 16 bře 2009, 22:23

Třeba v UPS od APC mají S natvrdo připojené k minusu baterie, mají dobře geometricky rozvrženou desku a odpor mají seriově s Gate. Pro inspiraci nemusíš chodit daleko

http://www.ebastlirna.cz/modules.php?na ... t&lid=1396

#6 Příspěvek od **rnbw** » 16 bře 2009, 22:53

Aj na zakladnych doskach ECS/PC Chips byvaju az 4 MOSFETy paralelne. Na niektorych typoch je dokonca aj budenie paralelne jednou dvojicou NPN/PNP, na inych ma kazdy kus budenie samostatne. Funguje to dobre, zhori to len po nafuknuti elytov.

#7 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 17 bře 2009, 10:38

To ano, ale ty fety jsou v úplně jiným režimu buzení, tím chci říct, že se otevírají naplno. Zkuste se zeptat hifistů, co dělá FET v lineárním režimu a jak "dobře" se mu stabilizuje pracovní bod při zahřívání.

jarod · #8 Příspěvek od **jarod** » 17 bře 2009, 11:22

Skusal som zapojit FETy pomocou vodicou, kazdy bol rovnako dlhy a tak som to potom pripojil k DPS. Velmi mi to nepomohlo. To bude asi najhorsie, ze tam je FET v linearnom rezime a sa dost zahrieva.
Akou cestou by bolo najvhodnejsie ist? Dat pre kazdy FET OZ? V tom pripade by som mal upravit zapojenie nasledovne?

Andrea · #9 Příspěvek od **Andrea** » 17 bře 2009, 11:57

jarod píše:Skusal som zapojit FETy pomocou vodicou, kazdy bol rovnako dlhy a tak som to potom pripojil k DPS. Velmi mi to nepomohlo. To bude asi najhorsie, ze tam je FET v linearnom rezime a sa dost zahrieva.
Akou cestou by bolo najvhodnejsie ist? Dat pre kazdy FET OZ? V tom pripade by som mal upravit zapojenie nasledovne?

Ty invertující vstupy operáků nepropojovat, takhle by sis moc nepomohl.

#10 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 17 bře 2009, 12:44

A dej tam čidlo s ventilátorem, pasivní chlazení bude na větší výkony slabý.

EDIT - Teď se dívám, že fukar tam je. Jen bych ho posunul už na 40st. či ještě níž....

Zmije · #11 Příspěvek od **Zmije** » 17 bře 2009, 13:05

Toho lineárního režimu jsem si nevšiml, stejně si ale myslím že nejlepší řešení by bylo předělat to s pwm.

#12 Příspěvek od **rnbw** » 17 bře 2009, 14:53

Uz som si vsimol, ze ide o zataz, takze je vlastne cielom, aby na tych MOSFEToch bola vykonova strata.

#13 Příspěvek od **jandu** » 17 bře 2009, 16:15

Dnes som dával dole z MBR 4 ks FQB60N03L mosfety a napadlo ma - maly by to byť s čo najmenším Rds. Tak by rozdelenie prúdu bolo asi rovnomernejšie.

#14 Příspěvek od **forbidden** » 17 bře 2009, 16:51

ZdenekHQ píše:Ono totiž není jedno, jestli je tam 6A při 5V nebo 30V. Ztrátový výkon roste s druhou mocninou napětí.... Takže těch 14A při 30V bych chtěl vidět...

P.S. Jinak co fet, to jeden řídící operák. Jinak to nikdy nebude rovnoměrně zatížený.

Tech 14 A je absolutni maximum s ohledem na vykonnovou ztratu na bocniku (20 W). Pripadne tech 20 A pri stride 50%. Samozrejme se musi brat v uvahu i max. vykonnova ztrata na tranzistoru a pocitat s ni.

To schema s paralelnimi operaky by mohlo fungovat, jen se nesmi spojit inv. vstupy (jak spravne poznamenala Andrea).

Mimochodem Davidus me upozornil, ze max. vykonnova ztrata toho MOSFETu je asi 180 W. Ja mam katalog, kde je uvedeno az 230 W, ale nasli jsme uz i ruzny jiny udaje. Lisi se to podle vyrobce.
Vyzkouseno mam z olovenyho akumulatoru asi 168 W 12 V*14 A.

#15 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 17 bře 2009, 16:56

Když to uchladíš, proč ne.

Ale většina lidí tam dá křidýlko z kusu plechu a čeká zázraky. Největší zázrak je v tomto případě aktivní chlazení, nejlépe tak, že se to celý vrzne do "tunelu" jako u fénu