Dobrý den,
potřeboval bych si simulovat zapojení s tyristorem, ale v SIMetrix intro jsem žádný nenašel. Poradí mi někdo kde najít model tyristoru (pro začátek jakéhokoliv) pro SIMetrix?
Model tyristoru pro SIMetrix intro
Moderátor: Moderátoři
Tyristor můžeš zjednodušeně simulovat obvodem se dvěma NPN+PNP tranzistory a dvojicí odporů a uložit si to zapojení jako svůj "subcircuit". Nebo se častěji simuluje pomocí napětím řízeného spínače a několika dalších elementů, jednoduchý příklad viz: http://services.eng.uts.edu.au/~venkat/ ... 03s1p1.htm :
Praktické modely třeba tady: http://www.onsemi.com/PowerSolutions/su ... tegory=816
Kód: Vybrat vše
* Subcircuit for SCR
.SUBCKT SCR 101 102 103 102
S1 101 105 106 102 SMOD
RG 103 104 50
VX 104 102 DC 0
VY 105 107 DC 0
DT 107 102 DMOD
RT 106 102 1
CT 106 102 10U
F1 102 106 POLY(2) VX VY 0 50 11
.MODEL SMOD VSWITCH(RON=0.0105 ROFF=10E+5 VON=0.5 VOFF=0)
.MODEL DMOD D((IS=2.2E-15 BV=1200 TT=0 CJO=0)
.ENDS SCR
-
AmarokCZ
- Příspěvky: 2838
- Registrován: 20 pro 2006, 01:00
- Bydliště: Poličské krystalinikum
- Kontaktovat uživatele:
TYN616:
Na stránkách STM je někde balík ve kterém je hromada tyristorů a triaků.
Kód: Vybrat vše
.SUBCKT TYN616 anode gate cathode PARAMS:
*Silicon Controlled Rectifier
*MODEL FORMAT: PSpice
+ Vdrm=600v Vrrm=600v Idrm=5u
+ Ih=30ma dVdt=500e6
+ Igt=20ma Vgt=1.3v
* Vgt must be greater than 0.65
+ Vtm=1.6v Itm=16
+ Ton=2u Toff=15u
* Where:
* Vdrm => Forward breakover voltage
* Vrrm => Reverse breakdown voltage
* Idrm => Peak blocking current
* Ih => Holding current
* dVdt => Critical value for dV/dt triggering
* Igt => Gate trigger current
* Vgt => Gate trigger voltage
* Vtm => On-state voltage
* Itm => On-state current
* Ton => Turn-on time
* Toff => Turn-off time
*-------------------------------------------------------------------------------
* Main conduction path
Scr anode anode0 control 0 Vswitch ; controlled switch
Dak1 anode0 anode2 Dakfwd OFF ; SCR is initially off
Dka cathode anode0 Dkarev OFF
VIak anode2 cathode ; current sensor
* dVdt Turn-on
Emon dvdt0 0 TABLE {v(anode,cathode)} (0 0) (2000 2000)
CdVdt dvdt0 dvdt1 100pfd ; displacement current
Rdlay dvdt1 dvdt2 1k
VdVdt dvdt2 cathode DC 0.0
EdVdt condvdt 0 TABLE {i(vdVdt)-100p*dVdt} (0 0 ) (.1m 10)
RdVdt condvdt 0 1meg
* Gate
Rseries gate gate1 {(Vgt-0.65)/Igt}
Rshunt gate1 gate2 {0.65/Igt}
Dgkf gate1 gate2 Dgk
VIgf gate2 cathode ; current sensor
* Gate Turn-on
Egate1 gate4 0 TABLE {i(Vigf)-0.95*Igt} (0 0) (1m 10)
Rgate1 gate4 0 1meg
Egon1 congate 0 TABLE {v(gate4)*v(anode,cathode)} (0 0) (10 10)
Rgon1 congate 0 1meg
* Main Turn-on
EItot Itot 0 TABLE {i(VIak)+5E-5*i(VIgf)/Igt} (0 0) (2000 2000)
RItot Itot 0 1meg
Eprod prod 0 TABLE {v(anode,cathode)*v(Itot)} (0 0) (1 1)
Rprod prod 0 1meg
Elin conmain 0 TABLE
+ {10*(v(prod) - (Vtm*Ih))/(Vtm*Ih)} (0 0) (2 10)
Rlin conmain 0 1meg
* Turn-on/Turn-off control
Eonoff contot 0 TABLE
+ {v(congate)+v(conmain)+v(condvdt)} (0 0) (10 10)
* Turn-on/Turn-off delays
Rton contot dlay1 825
Dton dlay1 control Delay
Rtoff contot dlay2 {290*Toff/Ton}
Dtoff control dlay2 Delay
Cton control 0 {Ton/454}
* Reverse breakdown
Dbreak anode break1 Dbreak
Dbreak2 cathode break1 Dseries
* Controlled switch model
.MODEL Vswitch vswitch
+ (Ron = {(Vtm-0.7)/Itm}, Roff = {Vdrm*Vdrm/(Vtm*Ih)},
+ Von = 5.0, Voff = 1.5)
* Diodes
.MODEL Dgk D (Is=1E-16 Cjo=50pf Rs=5)
.MODEL Dseries D (Is=1E-14)
.MODEL Delay D (Is=1E-12 Cjo=5pf Rs=0.01)
.MODEL Dkarev D (Is=1E-10 Cjo=5pf Rs=0.01)
.MODEL Dakfwd D (Is=4E-11 Cjo=5pf)
.MODEL Dbreak D (Ibv=1E-7 Bv={1.1*Vrrm} Cjo=5pf Rs=0.5)
* Allow the gate to float if required
Rfloat gate cathode 1e10
.ENDS
*$