Transformátor 230/80V 1A - nabíjení kondenzátoru na 80V

Zpráva

GeorgeB · #1 Příspěvek od **GeorgeB** » 23 bře 2007, 19:47

Mám transformátor 230/80V 1 A a potřebuji po usměrnění nabít kondenzátor asi 10uF na napětí 80V. Z kondenzátoru bude odebrán impulzně náboj. Po odebrání náboje je třeba kondenzátor opět nabít. Jde mi o regulaci nabíjení kondenzátoru,aby se napětí zastavilo na 80V. Doba nabíjení nesmí překročit asi 4ms. Jinak impulsní vybíjení bude řízeno z mikroprocesoru,tak je možné i nabíjení spouštět z mikroprocesoru. Děkuji za rady.

ACDC · #2 Příspěvek od **ACDC** » 23 bře 2007, 20:56

Zapoj paralélně s elytem zenerku, a nabíjej to přes obpor, zenerku bych dal výkonější.

GeorgeB · #3 Příspěvek od **GeorgeB** » 23 bře 2007, 22:08

ACDC píše:Zapoj paralélně s elytem zenerku, a nabíjej to přes obpor, zenerku bych dal výkonější.

Jelikož bude ten kondenzátor vybíjen téměř na nulu a vybitý bude držen nějakou dobu,tak myslím, že by byl ten odpor značně výkonově namáhaný. A kdybych zvětšil jeho odpor,tak by se zas nestíhal kondenzátor nabít včas.
Už zkouším použít zapojení s darlingtonovým tranzisotem NPN, který bude nabíjet kondenzátor a bude řízen optočlenem(kvůli rozdílu napěťových úrovní řídící části a výkonové části) Zem bude společná, tak asi použiju komparátor, který tranzistor uzavře, když napětí na kondenzátoru přesáhne 80V. A například logický hradlo zabrání,aby proud do obvodu nešel v případě, když je kondenzátor vybíjen( ochrana tranzistoru).

PavelFF · #4 Příspěvek od **PavelFF** » 23 bře 2007, 23:08

Když použiješ PNP spínaè, nepotøebuješ žádný optoèlen.
Na vstupu spínaèe bude tøebas 20x vìtší kapacita než 10uF za spínaèem. Tím se po sepnutí staèí 10uF dobít za 4ms bez poklesu napìtí a nebudeš potøebovat žádný komparátor, ale normální stabilizátor na 80V (tøeba jen ze zenerkou v bázi výkonového tranzistoru), který bude plynule dobíjet menším proudem vstupní velkou kapacitu. Støední hodnota dobíjecího proudu závisí na pomìru trvání dob sepnutí a vypnutí. Jaká bude?

Spínaè PNP mám na mysli udìlat podobnì, jako tranzistory T4 s T3 ve schématu na obr. 2 v odkazu. Mikroprocesorem ho budeš vypínat pøes T3.
Je to jen námìt. Možná bys mohl vyjevit, na co to bude.

PavelFF · #5 Příspěvek od **PavelFF** » 23 bře 2007, 23:22

Na odkaz jsem zapomnìl:

http://www.zajic.cz/esr/esr_metr.pdf

jasin · #6 Příspěvek od **jasin** » 24 bře 2007, 21:00

Především, po usměrnění bude z 80 Vst stejnosměrných 112 Vss.
Zvlnění má při dvoucestném usměrnění periodu 10ms. Takže bude potřeba stabilizace, jinak by těch 4ms začínalo vždy z jiného napětí.

Nejjednodušší by bylo nabíjet 10M na 160 V a těch tvých 10 M vždycky prostě připojit paralelně. Napětí se tím rozdělí mezi oba kondy a pokud byl jeden prázdný, tak budou mít oba 80 V. Za pomocí této metody se dá zvolit napětí a kapacita, aby ti vždy vyšlo 80 V. Například, když bychom vycházeli ze zmíněných 112 V , tak je potřeba použít kond s kapacitou: 10*80*80/112/112=5,1 neboli 5,1 uF
Na spínacím prvku se tím rozptýlí 4 Ws. Takže pokud toto sepnutí proběhne třeba desetkrát za vteřinu, tak musíš uchladit 40 W.

#7 Příspěvek od **Sendyx** » 24 bře 2007, 21:12

To je příliš komplikované, stačí stabilizátor na cca 81V, nabíjecí odpor a spínací tranzistor. Závisí, s jakou přesností se to má nabít.

GeorgeB · #8 Příspěvek od **GeorgeB** » 24 bře 2007, 23:33

No zkusil jsem to podle PavlaFF. Klasicky stabilizátor napětí se zenerkou v bázi tranzistoru. Ze stabilizovaného napětí 80V je nabíjen kondenzátor PNP Darlingtonem. Kondenzátor je nabíjen pouze v době, kdy není z kondenzátoru odebírán žádný náboj, takže se aspoň sníží ztrátový výkon na PNP Darlingtonu.
Předběžné schéma asi takto:
Obrázek

Ale i tak nevím jestli to v praxi bude dobře fungovat. Maximální frekvence vybíjení kondenzátoru bude asi 100Hz. A minimální požadovaná doba na nabití kondenzátoru asi 5ms.

PavelFF · #9 Příspěvek od **PavelFF** » 25 bře 2007, 00:09

Pøedevším máš napìovì poddimenzované všechny tøi tranzistory, ale jinak by to mìlo chodit. Je tøeba to odzkoušet, pøi vývoji se vždycky nìjaký zádrhel vyskytne. Doladit hodnoty odporù tak, aby byly tranzistory vždycky dokonale sepnuté èi dokonale vypnuté apod.

Výkonovì to nebude tak strašné. Na nabití 10uF na 80V za 5ms je teoreticky potøeba konstantní proud 0,16A , takže støední proud pøes Q3
bude zhruba polovièní (jestli v tom nemám nìjakou chybu). Ztráta na Q3 bude pár watù.

Paralelnì k D5 bys mohl pøidat nìjaký ten elyt, aby bylo vyhlazenìjší napìtí 80V. Nevím, jestli bys jako ochranu Q3 po vypnutí trafa nemìl dát antiparalelnì ke Q3 diodu mezi C a E.

GeorgeB · #10 Příspěvek od **GeorgeB** » 25 bře 2007, 00:31

PavelFF:O tom poddimenzování tranzistorů vím.Potřeboval jsem to jen z důvodu simulace,tak jsem narychlo sestavil tohle schéma. Hodnoty odporů taky dopočítám.Napětí 80V nemusí být vyhlazené,ale místo na desce pro elyt udělám i pro antiparalelní diodu. Díky za rady.

PavelFF · #11 Příspěvek od **PavelFF** » 25 bře 2007, 00:58

Pøedevším máš napìovì poddimenzované všechny tøi tranzistory, ale jinak by to mìlo chodit. Je tøeba to odzkoušet, pøi vývoji se vždycky nìjaký zádrhel vyskytne. Doladit hodnoty odporù tak, aby byly tranzistory vždycky dokonale sepnuté èi dokonale vypnuté apod.

Výkonovì to nebude tak strašné. Na nabití 10uF na 80V za 5ms je teoreticky potøeba konstantní proud 0,16A , takže støední proud pøes Q3
bude zhruba polovièní (jestli v tom nemám nìjakou chybu). Ztráta na Q3 bude pár watù.

Paralelnì k D5 bys mohl pøidat nìjaký ten elyt, aby bylo vyhlazenìjší napìtí 80V. Nevím, jestli bys jako ochranu Q3 po vypnutí trafa nemìl dát antiparalelnì ke Q3 diodu mezi C a E.

PavelFF · #12 Příspěvek od **PavelFF** » 25 bře 2007, 01:03

To se nemìlo stát. Jsem dal "aktualizovat" a už to tam bylo podruhé.

Díval jsem se do katalogového listu TIP122 a on v sobì už má odpory mezi B-E a taky antiparalelní diodu.
Myslel jsem, že diodu mají v sobì jen mosfety, ale ty to mají myslím jako z nouze ctnost, vedlejší produkt technologie.