Rychlost diody

Zpráva

danhard · #46 Příspěvek od **danhard** » 06 říj 2008, 14:00

Andreo, to je zcela jednoduché, kapacita je parazitní vlastnost a vykládat přes ní vlastnosti v oblasti vodivosti polovodiče může akorát úchyl.
Je to dané konstrukcí toho přechodu a velikostí oblasti prostorového náboje.

Schottky - tenký přechod kov-polovodič
Rychlé diody - tenký prechod silně dotovaných polovodičů
Pomale usměrňovací diody - tlustý objemný prechod z nízko dotovaného polovodiče a metalurgicky dotovaných "vývodů".

Čím je ten přechod tenčí tím větší kapacita, čím je ten přechod delší a objemnější, tím větší vázaný náboj z propustného proudu, který je potřeba v závěrném směru vyklidit.

Rychlost otevření v propustném směru - vždy tam bude nějaká parazitní indukčnost pouzdra i toho polovodiče, v nějakém tom odkazu dříve to měřili 1N40x s dlouhýma vývodama, to už při nějaké ns hraně ruší, co se týče vlastního jevu v řádu 10ns, tak tam bude hrát kromě geometrie také dotace polovodiče a s tím spojená rychlost rekombinace nosičů.

Pan "inženýr" by nám to mohl určitě fundovaně vysvětlit

#47 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 06 říj 2008, 19:12

Jedna blbá fotka závěrem, stejně to nikam nepovede, takže na umělecký fotky není chuť.

500ns/dílek, horní je napětí na cívce (20V/dílek) s diodou 1N4007, dolní napětí na snímacím seriovém odporu 0.1R (proud diodou), 2V/dílek. Odpor vnesl chybu asi 10 procent do měření napětí.

Nejlepší parametry, co se týká likvidace překmitu měl transil a zenerova dioda (v závěrném směru), celkem legrační, ovšem očekávaný průběh vytvořil varistor.

Končím s praxí, škoda času.

danhard · #48 Příspěvek od **danhard** » 06 říj 2008, 19:17

Fedrmanne, modeloval jsem to zcela stejně, a zotavení bylo přes 1us.
Podmínky jsou u všech těch katalogových diod udané, u té 1N4148 jsou i měřící zapojení. Pro 1N4002 to výrobce jako parametr neuvádí, tak proč by tam něco psal ?
Srovnatelné je to třeba pro trochu rychlejší (než ty 1N400x) spínačky BA159 http://www.datasheetcatalog.org/datashe ... 157-T3.pdf
Zadání bylo, jak se ta dioda chová při skoku proudu 1A, v závěrném směru jsme se nějak na trr v us všichni shodli (až na Fedrmanovské nesmyslné dedukce), v propustném směru to neuvádí už žádný výrobce, tak si to asi budem muset změřit.

Andrea · #49 Příspěvek od **Andrea** » 06 říj 2008, 19:18

V PSpice například není v modelu MOSFETu zahrnuta závislost kapacit na napětí, takže průběhy ze simulací spínacích pochodů vůbec neodpovídají realitě. Kdoví jak je to u diod

danhard · #50 Příspěvek od **danhard** » 06 říj 2008, 19:26

ZdenekHQ ještě kdyby bylo zapojení, takhle není moc jasné co je co ?

danhard · #51 Příspěvek od **danhard** » 06 říj 2008, 19:33

Andrea, jak nejsou ?
Je tam výstupní kapacita ds a náboj gate. Millerova kapacita není, ta ale nedělá mnoho.
U bipolárů třeba není zenerovo chování Ube v závěrném směru

#52 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 06 říj 2008, 19:46

danhard píše:ZdenekHQ ještě kdyby bylo zapojení, takhle není moc jasné co je co ?

http://www.ebastlirna.cz/modules.php?na ... 284#185284

Až na to tlumení - takže FET 5N90 s vzduchovou cívkou 1mH v kolektoru, buzení obdélník cca 100us, opakovací kmitočet 1Khz (aby to vůbec bylo trochu vidět), napájení 12V.

danhard · #53 Příspěvek od **danhard** » 06 říj 2008, 20:29

Řekl bych, že výsledek toho měření nějak neodpovídá reálu.
1mH indukčnost buzená 100us z 12V se odbudí do diody, nebo té napěťové špičky 20V za pár set ns ? To nějak odporuje fyzice.
Podle toho odporu, je tam 100ns proudová špička 5A, ten odpor je ještě odpor, nebo už mizerná cívka ?

#54 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 06 říj 2008, 22:04

S Tebou tady taky bude veselo.... Fotit bez diody ti to nebudu, pak to trvá výrazně déle, ale na blbosti čas nemám. Někdy si to změř.

#55 Příspěvek od **Sendyx** » 06 říj 2008, 22:11

Von je Danhard nepříjemně chytrý a plete se málokdy

#56 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 06 říj 2008, 22:24

Jenže zapomíná na exponenciální charakter dokmitů, který v tom bordelu na fotce zaniknou. Pořádně zesílený to trvá výrazně déle, jinak první dva kmity sežerou většinu energie. Taky ta dioda pořádně topí. Otázka závěrem - čím je omezen maximální proud diodou při té špičce ?

#57 Příspěvek od **Sendyx** » 06 říj 2008, 22:26

V simulaci nebo v realitě ?

#58 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 06 říj 2008, 22:46

Samozřejmě, že v realitě. V simulaci se dají bez problémů dosáhnout jevy, který se v reálu dějí jen kolem teploty kolem absolutní nuly.

danhard · #59 Příspěvek od **danhard** » 06 říj 2008, 22:59

No mě zaujala akorát fotka z nějakého toho měření, co tu padlo, kde ty výsledky celkem reálné byly.
http://www.cliftonlaboratories.com/user ... ode_20.jpg
Ovšem přívody té diody mají takhle samy kolem 50nH čisté indukčnosti, to není jev v té diodě.

Proud je omezený tím proudem, co jsi nabudil do té cívky 1mH, máš tam 1ms doba opakování, budíš 100us tak doufám že bys jí mohl i odbudit, i když jisté to není, neznám ani odpor té cívky, ani jestli se může nasytit.
12V*100us budíš, 1V*900us odbuzuješ, nějaké odporové ztráty, mohlo by to chodit. Ktyžtak jít na 500Hz s periodou.
100us*12V/1mH by mělo nabudit tu cívku max na 1,2A, ovšem pokud jde do sycení, tak je to o něčem jiném a ten proud bude větší, daný dc odpory.
Takže ten špičkový proud 5V/0,1R mě připadal trochu nemístný.

#60 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 06 říj 2008, 23:12

Je to vzduchová "cívečka" pro reprobedny, průměr 7cm, průměr drátu 1mm. Menší zrovna po ruce nebyla. Odpor 0.1R/5W , jeho indukčnost je zanedbatelná.