Buzení unipoláru

Zpráva

Skay · #1 Příspěvek od **Skay** » 18 kvě 2010, 19:13

Zdravim,

Chtěl bych se zeptat proč se v některých zapojeních používá k buzení unipolárních trandů symetické napětí a někde nesymetrické ? Má to nějaký podstatný vliv na vypínací časy nebo je to kvůli konstrukci samotného spínacího prvku ?
Je to tak že N-FET s vodivým kanálem neuzavřu uzemněním jeho hradla ale pouze přivedením záporného napětí na gate ?
Kdežto N-FET s indukovaným kanálem stačí pro uzavření uzemnit ?
Má tedy smysl řídit N-FET s indukovaným kanálem signálem se symetrickým napětím ?

Ještě jen tak na okraj. V datashitu pro IGBT tranzistory jsem nenašel údaj který by mi řekl jakého typu je vstupní trand. Podle čeho tedy volit ?

Děkuji.

AmarokCZ · #2 Příspěvek od **AmarokCZ** » 18 kvě 2010, 22:33

Pokud je N-FET s indukovaným kanálem, tak stačí uzemnit a tranzistor se zavře (nemusí se uzemnit, stačí 0.5 až 3V podle typu). U IGBT se vstup chová jako N-MOSFET, tudíž stačí uzemnit. Symetrické napětí se používá snad jen u J-FET, u MOSFETu je to zbytečné, protože ty jsou s indukovaným kanálem.

#3 Příspěvek od **rezis** » 18 kvě 2010, 22:39

Myslím, že už jsem viděl že na gate mosfetu se přiváděl záporný impluz pro rychlejší zavření tranzistoru.

Andrea · #4 Příspěvek od **Andrea** » 18 kvě 2010, 22:44

AmarokCZ píše:Symetrické napětí se používá snad jen u J-FET

To asi ne.

Symetrické buzení se používá například při buzení přes transformátor. Není nutné ale není na škodu a může některé věci usnadnit a třeba i zvýšit odolnost zavřeného tranzistoru proti velkému duds/dt.

AmarokCZ · #5 Příspěvek od **AmarokCZ** » 18 kvě 2010, 23:02

Andrea: no a jak jinak chceš ovládat J-FET, když potřebuje záporné napětí aby se zavřel?

Skay · #6 Příspěvek od **Skay** » 18 kvě 2010, 23:05

Našel jsem v jednom článku "Tranzistor IGBT se musí vypínat záporným napětím, není dovoleno vypínat je pouze nulovým napětím."

http://www.zesilovace.cz/view.php?cislo ... 2003060202

Sice jsem v datashitu neviděl zdali by se měl vypínat záporným napětím, zato se uvádí propustný proud při Uge=0V z čehož bych soudil, že stačí zemnit.

Tak kde je pravda ? Nebo to prostě není až tak podstatné a "jen" to zlepší dynamické vlastnosti a odolnost vůči rušení ?

A jak by jste spojovali paralelně IGBT ? jako bipolární trandy s malým emitorovým odporem ?

Díky.

Venda · #7 Příspěvek od **Venda** » 19 kvě 2010, 08:29

To se mi nezdá, roky používáme několik tisíc, spíš desítek tisíc přístrojů s IGBT tranzistory BUP213 a jsou zavíraný pouze připojením na zem, žádný záporný napětí se tam nekoná a kdyby s tí měl být nějaký problém, už by se to určitě projevilo.

Andrea · #8 Příspěvek od **Andrea** » 19 kvě 2010, 09:25

AmarokCZ píše:Andrea: no a jak jinak chceš ovládat J-FET, když potřebuje záporné napětí aby se zavřel?

Potřebuješ POUZE záporné napětí, při kladném se to už nechová jako tranzistor ale jako dioda. Takže J-FET se zcela určitě nebudí symetricky.

AmarokCZ · #9 Příspěvek od **AmarokCZ** » 19 kvě 2010, 10:51

Andrea: chápu jak to myslíš, ale stejně napájení v mnoha případech potřebuješ symetrické kvůli potřebě toho záporného napětí, k buzení se samozřejmě používá jen to záporné.